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Toshiba: neue 43 nm-SLC-Zellen im ersten Quartal 2009

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Das japanische Unternehmen Toshiba, welches aufgrund fallender Preise bei RAM- und Flash-Speichern im vergangenen Quartal einen Verlust von 272,8 Millionen US-Dollar verzeichnete, plant im ersten Quartal des Jahres 2009 die Massenproduktion neuer Flash-Speicherzellen zu starten. Diese sind in 43-nm-Strukturbreite gefertigt, speichern ein Bit pro Zelle und bieten dennoch eine Speicherdichte von 16 GBit auf einer Fläche von 14 x 18 mm. Im Vergleich zu SLC-Zellen mit einer Strukturbreite von 56 nm soll die Datendichte verdoppelt worden sein. Durch Zusammenfassen mehrerer solcher Chips soll eine Datendichte von bis zu 64 GBit möglich sein. Zusätzlich soll sich die Geschwindigkeit im Vergleich zu Toshibas MLC-Zellen mit 16 GBit Datendichte um den Faktor 2,5 verbessert haben. Die Versorgungsspannung liegt bei 3,3 Volt und die Zugriffszeit bei 25 Nanosekunden. Wann SSDs mit den neuen Chips hierzulande erhältlich sein werden ist unbekannt, denn Toshibas SSDs sind in Deutschland nicht erhältlich. Vermutlich werden die Chips zuerst in Produkten anderer Hersteller zu finden sein.



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