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Hynix kündigt High-Speed 54-nm-DDR2-RAM an

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hynixHynix kündigte die Entwicklung des weltweit ersten, mobilen 1 GB fassenden DDR2-DRAM-Chips im 54-nm-Fertigungsverfahren an. Durch die erfolgreiche Entwicklung eines Speicherchips der 50-nm-Klasse kann Hynix zukünftig Arbeitsspeicher für mobile Endgeräte anbieten, der bei hoher Geschwindigkeit gleichzeitig mit niedrigem Energieverbrauch punkten kann. Der Speicher wird mit einer maximalen Geschwindigkeit von 1066 MHz und einer Bandbreite von 4,26 GB/s (Single-Channel) bzw. 8,52 GB/s (Dual-Channel) an den Start gehen. Darüber hinaus ist der neue mobile DDR2-RAM von Hynix ganz im Sinne der Green-IT als "Eco-Friendly" zu bezeichnen, da sein Energiebedarf gerade mal 50% des Energiebedarfs alter, mobiler DDR-RAM Lösungen ausmacht und nur 30% verglichen mit Standard-DDR2-DRAM. Der Speicher erfüllt den JEDEC-Standard und ist vor allem für mobile Endgeräte der nächsten Generation wie Netbooks und Smartphones konzipiert, die hohe Speicherbandbreite bei gleichzeitig langer Akkulaufzeit benötigen. Hynix plant die Massenfertigung des Speichers für die zweite Jahreshälfte um zügig dem Bedarf nach mobilen Hochleistungs-Anwendungen gerecht zu werden.

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