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TSMC baut für 16 Milliarden US-Dollar neue Gigafab für 3-nm-Chips

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tsmcTSMC zählt weltweit zu den größten Auftragsfertigern für Chips und möchte seine Marktmacht auch in Zukunft beibehalten. Wie das Unternehmen mitteilt, werde man für rund 16 Milliarden US-Dollar eine neue Gigafab bauen. Die Produktionshalle für Chips werde auf einem Gelände mit 50 bis 80 Hektar in Taiwan errichtet und soll ab 2022 die Serienproduktion aufnehmen. TSMC betont, dass der Neubau bereits für die Zukunft gerüstet sei. Künftig sollen dort Chips aus dem 5- und 3-nm-Prozess vom Band laufen. Zwar sei die Technik für die Massenproduktion noch nicht soweit, aber in Zukunft sollen die feineren Strukturbreiten in der neuen Fabrik eingesetzt werden.

Die Chips aus dem 5- und 3-nm-Prozess sollen noch weniger Energie benötigen und dabei trotzdem mehr Leistung bieten. Vor allem die Entwickler von mobilen Prozessoren dürften hier zu den Kunden gehören. Bevor TSMC allerdings den Schritt zum nächsten Fertigungsverfahren gehen wird, wird erst mal die Produktion der 10-nm-Chips hochgefahren. Im nächsten Jahr soll dann der 7-nm-Prozess starten und erst danach wird das Unternehmen über die Serienfertigung von noch feineren Strukturen nachdenken.

TSMC sieht sich mit der hohen Investition von 16 Milliarden US-Dollar für die Zukunft gerüstet. Ob der selbst gesteckte Zeitplan allerdings wirklich eingehalten werden kann, wird sich erst zeigen müssen. Schließlich gab es bereits in der Vergangenheit immer wieder Verzögerungen bei der Umstellung auf einen feineren Fertigungsprozess.

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Kommentare (12)

#3
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Registriert seit: 21.01.2005

Flottillenadmiral
Beiträge: 5874
Da haette mann in den 90er kapital anlegen sollen.
#4
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Registriert seit: 20.06.2016
Potsdam
Hauptgefreiter
Beiträge: 216
Wird das ab 7nm nicht unrentabel?
#5
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Registriert seit: 12.05.2013

Vizeadmiral
Beiträge: 7624
Naja ab 7nm wird man EUV benötigen was extrem aufwändig und teuer ist.
#6
Registriert seit: 30.04.2008
Civitas Tautensium, Agri Decumates
Leutnant zur See
Beiträge: 1095
TSMC wird EUV erst ab 5n einsetzen, dann aber massiv. Alle anderen üben vorher schon mal ein bißchen mit 7nm.
#7
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Registriert seit: 06.02.2014
Im sonnigen Süden
Admiral
Beiträge: 12470
Zitat NasaGTR;25131545
Naja ab 7nm wird man EUV benötigen was extrem aufwändig und teuer ist.

Vorerst - solche Prozesse werden ja laufend preiswerter.
Bleibt spannend.
#8
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Registriert seit: 24.08.2016

Banned
Beiträge: 745
Zitat Havellaender;25131399
Wird das ab 7nm nicht unrentabel?

Nein, die Fertigung wird halt immer teurer, für billige IoT-Chips ist das halt nicht geeignet.

Aber dafür bietet Globalfoundries 22FDX und auch bald 12FDX (12nm FD-SOI planar) an.
TSMC bietet dafür 12nm Bulk FinFET an, das ist eine Optimierung vom 16nm-Prozess.


Zitat NasaGTR;25131545
Naja ab 7nm wird man EUV benötigen was extrem aufwändig und teuer ist.

Nein, wird nicht benötigt.
Bei GF komtm bald 7HP (7nm FD-SOI FinFET), das kommt am Anfang ohne EUV.
Später will man 7HP auch mit EUV belichten, aber nur teilweise.

TSMC will EUV erst ab 5nm nutzen.
Intel/Samsung irgendwann, da kenne ich die aktuellen Pläne nicht.
#9
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Registriert seit: 29.01.2010
CH
Fregattenkapitän
Beiträge: 2997
Da die Strukturbreiten die angegeben werden nichts mehr mit tatsächlichen Grössenordnungen zu tun haben überraschen mich diese Zahlen nicht mehr.
Viel interessanter find ich die investierte Summe von 16$ Mrd. Das zeigt, dass TSMC eine gute Zukunft im IT Markt erwartet.
#10
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Registriert seit: 24.08.2016

Banned
Beiträge: 745
16Mia ist jetzt nicht so aussergewöhnlich, chipwerke sind nunmal so teuer, auch Samsung investiert da Milliarden.

Samsung beginnt 2017 die Bauarbeiten für eine Fab in Pyeongtaek, kostet ca. 13Mia.
Eine andere Fab um knapp unter 10Mia. baut Samsung auch noch.
#11
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Registriert seit: 20.07.2009

Bootsmann
Beiträge: 677
dat heist MRD nich MIA ... Missing in Action . :)
#12
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Registriert seit: 24.08.2016

Banned
Beiträge: 745
Mia ist auch erlaubt, deswegen schreib ich das auch weiterhin so...
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