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TSMC plant erste Tests mit 10-nm-Chips im Juni

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tsmc logoDer Chiphersteller TSMC bietet aktuell den 16-nm-Prozess als kleinste Strukturbreite an, in den kommenden Monaten soll der Fertigungsprozess aber noch weiter schrumpfen. Konkret möchte TSMC spätestens Ende 2016 die ersten 10-nm-Chips vom Band laufen lassen. Um dieses Ziel zu erreichen, meldet das Unternehmen nun den ersten Zwischenschritt an. Demnach sei bereits im Juni die erste Pilotfertigung von 10-nm-Chips geplant. Natürlich handelt es sich dabei noch nicht um die Serienfertigung und bis zum Startschuss werden sicherlich noch viele Testläufe nötig sein. Jedoch zeigt sich, dass die Hersteller durchaus an ihrem Zeitplan festhalten und im Jahr 2016 mit der Produktion im 10-nm-Prozess starten möchten.

Neben TSMC arbeiten auch Intel sowie Samsung kräftig an der kleineren Strukturbreiten. Während Intel den Start bereits für Mitte 2016 geplant hat, sieht Samsung den Startschuss ebenfalls erst für das Ende des nächsten Jahres vor. TSMC ist davon überzeugt, dass die ersten eigenen 10-nm-Chips noch vor denen des direkten Kontrahenten Samsung das Werk verlassen werden.

Die 10-nm-Chips von TSMC sollen in einer komplett neuen Fabrikhalle produziert werden. Die Bauarbeiten sollen Mitte 2016 abgeschlossen sein, sodass einem Startschuss Ende 2016 nichts mehr im Weg steht. Ob TSMC diesen Zeitplan einhalten kann, wird sich jedoch aus anderen Grünen erst noch zeigen müssen. Bereits bei vorherigen Umstellungen war es keine Seltenheit, dass TSMC den Startschuss aufgrund von Problemen nach hinten verschieben musste. Der erste Chip aus dem 10-nm-Prozess soll laut aktuellen Gerüchten der A10-Prozessor von Apple sein.

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Kommentare (11)

#2
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Was ist eigentlich die physikalische Grenze für die Verkleinerung des Fertigungsprozesses?
#3
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Admiral
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Zitat Thefloater;23525192
Was ist eigentlich die physikalische Grenze für die Verkleinerung des Fertigungsprozesses?

Angeblich existieren Technologien die theoretisch um die 5nm schaffen können sollen. Ob das die finale Grenze ist, kann niemand vorhersagen (vor einigen jahren hatte man die noch bei ~30nm vermutet).
Endgültiges Limit wäre dann atomare Größe. Ein SIliziumatom hat einen ungefähren Radius von 0.117nm.
Allerdings gilt auch zu beachten, dass diese Angaben die man zur Zeit nutzt, eher arg schwammig sind. in einer 22nm CPU von Intel, ist eigentlich keine dedizierte, signifikante Komponente 22nm groß. Ein einzelne Transistor ist jedenfalls größer.

Forschungsaufwand steigt jedenfalls exponentiell, so dass ich stark vermute dass CPUs eher bald in die Breite wachsen werden um mehr Leistung zu erzeugen. Intel hat bereits eine 28kernige CPU angekündigt und AMD bringt in den nächsten Wochen, eine Karte mit 4000 Shadereinheiten raus (knapp 40% mehr als in der letzten Generation).
#4
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Danke, dann wäre theoretisch eine 10nm Fertigung ca. das 85-fache der Größe eines Siliziumatoms.
#5
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Zitat DragonTear;23525267
Allerdings gilt auch zu beachten, dass diese Angaben die man zur Zeit nutzt, eher arg schwammig sind. in einer 22nm CPU von Intel, ist eigentlich keine dedizierte, signifikante Komponente 22nm groß. Ein einzelne Transistor ist jedenfalls größer.


irgendwo war neulich ne schöne Tabelle wo Intel / Samsung / TSMC und AMD(Semiconduc) verglichten wurde glaub es war deren 16nm Prozess.
wo jeder 16nm geschrieben hatte, aber bei einigen waren glaub ich die "Trennwände" etc.. ein gutes Stück größer/breiter als bei den anderen etc..
naja wie du schon gesagt hast es heißt leider nicht das alles in der Größe ist.
#6
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Vizeadmiral
Beiträge: 6694
Intel forscht ja schon mit einem Ersatz für Silizium, dadurch wird es wahrscheinlich nicht zwangsläufig kleiner, aber wahrscheinlich effizienter, was ja sozusagen auch wie eine Verkleinerung wirkt und deshalb wohl auch Marketingstechnisch so verkauft wird.
#7
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Kapitänleutnant
Beiträge: 1686
Das was anderes als Silizium kommt ist keine Frage des ob sondern des wann.
#8
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Hagen
Bootsmann
Beiträge: 541
Zitat TheBigG;23525637
Das was anderes als Silizium kommt ist keine Frage des ob sondern des wann.

Hast du mal einen Artikel dazu, an welchen Alternativen gerade geforscht wird? Würde mich mal interessieren, wie weit man in diesem Bereich ist und welche Vor- und Nachteile sich eröffnen.
#9
Registriert seit: 30.04.2008
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Oberbootsmann
Beiträge: 851
Zitat DragonTear;23525267
Endgültiges Limit wäre dann atomare Größe. Ein SIliziumatom hat einen ungefähren Radius von 0.117nm.


Nein, die Grenze liegt deutlich höher, da Silizium unterhalb einer gewissen Anzahl von Atomlagen seine Halbleitereigenschaften verliert.
Außerdem fangen dann Quanteneffekte an (bspw. das Tunneln), die gewünschten Eigenschaften zu konterkarieren.
#10
Registriert seit: 05.04.2005

Fregattenkapitän
Beiträge: 2985
Also das geht jetzt aus dem Gedächtnis, aber ich habe vor ein paar Wochen einen Artikel gelesen, in dem gesagt wurde, dass (im Unterschied zu früher) mit der Bezeichnung xx nm schon lange nicht mehr die Gategröße gemeint ist.
Die Bezeichnung xx nm hat afaik gar keine physikalische Entsprechung auf der CPU. Man findet also bei einem 14nm Prozess nirgendwo 14nm auf der CPU.

Lasse mich aber gerne korrigieren, wenn ich hier falsch in der Erinnerung gewühlt habe.
#11
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Registriert seit: 27.07.2008

Fregattenkapitän
Beiträge: 2889
Nanoelektronik: Guter Ersatz fürs Silizium

Ich denke mal, Silizium wird noch so lange weiter bestehen bleiben, wie es Erdöl für Autos gibt.
Erst wenn es wirklich nicht mehr geht, kommt etwas neues.

TSMC bläst mal wieder mächtig ins Horn. Wie gut läuft eigentlich ihre 20nm Fertigung ? Und nun wollen sie auf 10nm umschwenken und überholen Samsung also im Schlaf. Vielleicht sollte man TSMC endlich einmal aufwecken. ;)
Ich meine, reden können sie schon gut, nur mit reden alleine Produziert man nicht.
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