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TSMC plant 2015 Serienproduktion der erste 14-nm-Chips

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tsmc_logoAktuell laufen die ersten Planungen zur Umstellung auf den 28-Nanometer-Prozess bei TSMC. Auf dem Tisch liegen bereits Pläne, die von einer noch kleineren Strukturbreite für das Jahr 2015 sprechen. Das taiwanische Unternehmen plant demnach in spätestens vier Jahren auf 14 Nanometern umzusteigen und somit aus einem Wafer erstens mehr Chips gewinnen zu können und zweitens natürlich auch die Leistung der integrierten Schaltkreise zu verbessern. Neben der verkleinerten Strukturbreite soll aber auch die Wafer-Größe umgestellt werden und so sollen nicht mehr die aktuellen 300-mm-Wafer zum Einsatz kommen, sondern es sollen Siliziumscheiben mit einem Durchmesser von 450 mm genutzt werden. Diese Umstellung der Wafer-Größe soll aber bereits Ende 2013 beginnen, denn zu diesem Zeitpunkt soll die ersten Pilotproduktion mit den größeren Wafern starten. Die Serienproduktion soll aber dann erst 2015 zusammen mit dem 14-nm-Prozess eingeführt werden.

TSMC hatte in der Vergangenheit schon mehrmals optimistische Vorhersagen veröffentlicht, aber die Umsetzung lief meist nicht so reibungslos ab, wie dies die Planungen vorherhegesehen haben. Es wird sich wohl erst in ein paar Jahren zeigen, ob der Chiphersteller sein Vorhaben einhalten kann oder es eher ein Wunschdenken ist.

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Kommentare (6)

#1
Registriert seit: 16.11.2009
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Horst
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1 Jahr lang nach Auslieferung der ersten Chips noch an 40 nm rumgedoktort und dann binnen 4 Jahren 14 nm Serienfertigung an den Start bringen wollen... ja ne is klar.
#2
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Korvettenkapitän
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Könnte eventuell hinkommen - Ende 2015 bzw. Anfang 2016 hört sich für mich realistisch an. Frage mich nur, was für Zwischenschritte kommen - halte es für unwahrscheinlich, dass sie von 28 auf 14 gehen. Von dem her ist der Zeitplan mit 1-2 Zwischenschritten eng gestrickt. An den passenden Wavern entwickelt man bei uns schon...
#3
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Oberbootsmann
Beiträge: 883
Vllt. braucht die Industrie mal wieder einen kleinen Innovationssprung in der Fertigungstechnik. Sowas wie Lichtquanten, welche beim Auftreffen mit Hilfe von evaneszenten Feldern einen Potentialsprung erzeugen, auf dem man mit Hilfe von Induktionsfeldern das aufliegende Material umpolarisieren kann, wodurch dies dann haften bleibt und der Rest nicht... oder so. Dann können wir Transistoren auf atomarer Ebene bauen.
#4
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Moderator
BIOS Bernhard
Lutz
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darf ich mal fragen wie ihr sowas einschätzen könnt? Ich wüsste nicht woran ich festmachen sollte ob das realistisch ist oder nicht. Ich habe mit der Materie der Fertigungstechnik garnichts zutun.
Frage reininteresseshalber da man immer wieder liest" das ist unrealistisch" etc
#5
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Bootsmann
Beiträge: 541
Ein grund mehr nen hass auf apple zu haben :D
#6
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Registriert seit: 02.01.2009
Bayern
Korvettenkapitän
Beiträge: 2412
Ich arbeite in einer Firma, wo Siliziumwaver hergestellt werden. Wir liefern an Samsung, Intel, Toshiba, TSMC, Texas Instruments und andere bekannte Firmen aus. Als Wartungstechniker bin ich da eig. immer einigermaßen gut über den Markt und die Probleme bei der Fertigung informiert. Desweiteren haben wir eine große Forschungsabteilung wo gerade das Equipment für 450mm aufgebaut wird. Joa und den Rest kann ich mir aus meinem bischen Erfahrung in unserer Branche zusammendichten...
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