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Samsung stellt erstmals Flashspeicher in 20-nm-Fertigung vor

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samsungIn einer Pressemitteilung hat Samsung heute die ersten NAND-Flashspeicher vorgestellt, die in einem 20-nm-Verfahren hergestellt worden sind. Herr Soo-in Cho, seines Zeichens Geraldirektor der Memory Division von Samsung, spricht davon, dass es Samsung mit der Einführung des 20-nm-Verfahrens gelungen sei, die hohen Anforderungen der Kunden im Bezug auf die Leistung und die Speichergröße zu übertreffen. Gegenüber der bisherigen 30-nm-Produktion sinken die Produktionskosten aufgrund des geringeren Siliziumbedarfs und gleichzeitig erreichte man eine Steigerung der Produktivität um knapp 50 Prozent. Die Chips sollen im Vergleich zu den Vorgängermodellen um knapp 30 Prozent schneller sein und somit ein "Class10"-Rating erreichen, welches eine Schreibgeschwindigkeit von mindestens 10MB/s garantiert. Die Lesegeschwindigkeit soll laut Samsung bei 20 MB/s liegen. Die neue Generation ist laut Samsung in den Kapazitäten von 4 GB bis zu 64 GB erhältlich.

Samsung_20nm_Flash_Memory_small

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