EUV-Lithografie: ASML nutzt stärkere Laser und schießt 300.000 Mal auf Zinntropfen

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Die Herstellung moderner Halbleiterchips mit Milliarden von Transistoren auf kleinstem Raum und bei kleinsten Strukturen ist technisch eine enorme Herausforderung. Die Belichtungssysteme von ASML sind dahingehend branchenweit ungeschlagen, sind aber auch extrem komplex und kosten mehrere hundert Millionen Euro.
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Dazu verdoppelt man die Anzahl der Zinntropfen auf 100.000 pro Sekunde.
Bei EUV werden "Tropfen" verwendet, die wohl im Bereich von µl pro Tropfen liegen.
Selbst wenn man annimmt, das ein Tropfen nur 1µl wäre, wären das 0,1l Zinn.... PRO SEKUNDE. :ROFLMAO:

Kondensiert das denn wieder irgendwo und kann dann wiederverwendet werden, oder ist das dann "verbraucht"?
 
Ich weiß nur, dass man durch das Verdampfen auch mit Verunreinigungen zu kämpfen hat.
Dann kann man wohl schonmal davon ausgehen, das zumindest ein Teil davon nicht wiederverwendet werden kann.
 
Für mich genauso schwarze Magie wie der LHC, einfach unglaublich!

Vor einiger Zeit dieses sehenswerte Video dazu gesehen:
 
Bei EUV werden "Tropfen" verwendet, die wohl im Bereich von µl pro Tropfen liegen.
Selbst wenn man annimmt, das ein Tropfen nur 1µl wäre, wären das 0,1l Zinn.... PRO SEKUNDE. :ROFLMAO:

Kondensiert das denn wieder irgendwo und kann dann wiederverwendet werden, oder ist das dann "verbraucht"?

Laut diesem Paper (über EUV/Plasma sources) haben die Tropfen einen Durchmesser von ~30 µm. Das wären dann - so ich mich nicht verrechnet habe - um die 14 Pikoliter (sprich 0,000014137 µl).

µl würdest du vermutlich nicht in dem Zeitfenster resp. mit den Laserleistungen in ein Plasma überführen können.
 
Ja, das oben verlinkte Video ist echt empfehlenswert. Total spannend. Wenn man bedenkt, dass es nur ein relativ kleiner Teil eines FABs in der Gänze ist, da gehört noch enorm viel mehr dazu. Komplex im Makrobereich und Komplexität im Nanobereich. :love:
 
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