Bereits bekannt ist, dass AMD den CCD für die kommenden Epyc-Prozessoren mit Zen-6-Kernen alias Venice bei TSMC in einem 2-nm-Prozess fertigen wird.
Wobei man da aber beachten muss, dass es die Zen6c Kerne (Dense-CCDs) sind und für die wird es nicht N2P sein, da die sowieso keine hohen Taktraten erzielen und N2P laut der letzten Roadmap von TSMC erst 2026 bereut sein wird:
In N2P gefertigt werden sollen die CCDs mit zwölf Zen-6-Kernen je Chip. Auch die Dense-CCDs mit den Zen-6c-Kernen sollen in N2P gefertigt werden.
Was keinen Sinn macht, die klassischen Zen6 Kerne mit 12 pro CCD werden in N3X gefertigt werden, was auch zur Roadmap von TSMC passt. Die Fertigung beginnt ja lange vor dem Marktstart und Zen5 (classic) Kerne werden auch jetzt in N4X gefertigt, da dies die Varianten für die höchsten Taktraten ist und diese CCDs ja auch in den Desktop RYZEN verwendet werden. Die aktuelle Zen5c (Dense) werden in N3 gefertigt, eben weil man da keinen besonders hohen Takt, sondern vor allem eine hohe Effizienz will.
Den IOD in N2 oder N3P zu fertigen, würde nur Sinn machen, wenn AMD zu Halbleiter Interposern zum Verbinden der Dies übergeht, so wie Intel es bei den Tiles seiner CPUs macht. Dies erlaubt viel mehr Verbindungen pro mm² als die bisher von AMD genutzte Technik die praktisch einem BGA Package entsprecht, welches auf die Trägerplatine gelötet ist. Daher muss der IOD bisher auch groß genug sein um alle Verbindungen realisieren zu können und eine noch kleinere Fertigung macht dann wenig Sinn, außer AMD will die iGPU massiv aufwerten oder eben die Verbindungstechnik ändern.
Bisher bestätigt hat man nur die Fertigung in 2 nm für die kommenden Epyc-Prozessoren.
Wobei man dabei aber eben beachten muss, dass AMD bei solchen Ankündigungen nicht zwischen den Zen6 Classic und den Zen6c Dense CPUs unterscheidet! Für Zen6c ist N2 der logische Schritt von der N3 Fertigung der aktuellen Zen5c Dies, aber für Zen6 (Classic) ist eben N3X der logische Schritt vom aktuellen N4X Prozess der Zen5 Dies.