GaN-Wafer für Leistungselektronik: Infineon fährt hoch, TSMC fährt runter

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Im vergangenen Jahr verkündete Infineon den Aufbau einer ersten Pilotlinie für die Herstellung von Leistungshalbleitern auf Basis von Galliumnitrid (GaN). Mit einer Fertigung mit Wafern in 300 mm will Infineon damit einerseits die technischen Vorteile dieser Leistungshalbleiter und andererseits die wirtschaftlichen Vorteile der großen Wafer mitnehmen. Die Leistungshalbleiter kommen in vielerlei Elektronik zum Einsatz: Von E-Autos, über Netzteile, Solarwechselrichter und grundsätzlich überall dort, wo Komponenten mit einer effizienten Stromversorgung ausgestattet werden sollen.
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