> > > > DDR3 1600 hat CL9 Timings

DDR3 1600 hat CL9 Timings

DruckenE-Mail
Erstellt am: von
Wer sich an die Einführung von DDR2 erinnert wird ein Deja-Vu mit DDR3 Speicher erleben. Zum einen wird wieder einmal ordentlich an der Taktschraube gedreht, auf der anderen Seite werden die Timings wieder entschärft. So wird DDR3 800, wie günstige DDR2 800 Module, auf Timings von 5-5-5 setzen, manche sogar nur mit 6-6-6. Das DDR2 inzwischen deutlich mehr kann als per JEDEC festgelegt, zeigte vor kurzem ein Modul aus dem Hause CellShock, dass selbst bei 536,7 MHz Realtakt (1073,4 MHz effektiv) noch 3-3-3 Timings erreichte, worüber wir hier berichteten. Zwar wurden hierfür nicht dauerhaft mögliche 3,25 Volt benötigt, eine Spannung, die weit über der vom Hersteller vorgesehen maximalen 2,3 Volt liegt. Doch zeigt dies zumindest eine Tendenz. DDR3 1066 fängt mit Timings von 7-7-7 an, im Vergleich zu häufigen 5-5-5 Timings bei DDR2. Dieser Trend setzt sich weiter fort, so setzt DDR3 1333 auf 8-8-8 und DDR3 1600 sogar auf 9-9-9 Timings. Zwar kann man davon ausgehen, das einige Hersteller ihre Module mit Spannungen außerhalb der JEDEC Spezifikation von 1,5 Volt betreiben und somit auch geringere Timings ermöglichen. Des weiteren musste sich auch DDR2 erst entwickeln, bevor so niedrige Timings möglich wurden, etwas was sich bei DDR3 durchaus wiederholen kann. Weitere Module und DDR3 Mainboards werden auf der CeBit erwartet.

Social Links

Tags

es liegen noch keine Tags vor.

Zu diesem Artikel gibt es keinen Forumeintrag

Das könnte Sie auch interessieren:

Samsung SSD 750 EVO im Test - die neue Einsteiger-Klasse?

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-750-EVO/TEASER

Samsung gehört zu den Standardempfehlungen, wenn es um SSDs geht, sowohl im Highend-Bereich mit der Samsung SSD 950 PRO als auch im Mainstream-Bereich mit der 850 EVO. Letztere hat vor kurzem ein Upgrade erfahren, dabei wurde der 3D-Speicher durch eine neue Version mit nunmehr 48 statt 32... [mehr]

Crucial MX300 SSD mit 750 GB und 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/CRUCIAL-MX300-750GB/TEASER

Crucial meldet sich zurück und packt mit der MX300 aktuelle Speichertechnologie in ein 2,5-Zoll-Laufwerk. Den Anfang macht dabei ein einziges Modell mit einer ungewöhnlichen Speicherkapazität von 750 GB, das gegen die Samsung SSD 850 EVO und andere Mainstream-Laufwerke bestehen soll. Die... [mehr]

Seagate Ironwolf 8 TB, WD Red 8 TB und Toshiba Enterprise Cloud 6 TB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/REVIEW_TEASER/HDD_ROUNDUP_08-2016_TEASER

Auch wenn in den allermeisten Rechnern heutzutage statt einer Festplatte eine SSD als Systemlaufwerk zum Einsatz kommt, so sind die klassischen Magnetspeicher für das Speichern größerer Datenmengen weiterhin gefragt, zumal die beliebten NAS-Systeme als Cloud für Zuhause ein neues Absatzgebiet... [mehr]

Preiswerte M.2-SSD Intel 600p mit NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/INTEL-600P/TEASER

Mit der Intel X25-M war Intel einst eine feste Größe im Markt für Consumer-SSD, bis sich der Chipriese in den letzten Jahren fast ausschließlich auf den Enterprise-Markt konzentriert hat. Mit der SSD 750 hat Intel inzwischen zwar auch wieder ein Laufwerk für Heimanwender im Angebot, doch ist... [mehr]

NVMe-SSD Samsung 960 PRO mit 512 GB und 2 TB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-960-PRO/TEASER

Die Samsung SSD 950 PRO hat bis heute unsere Benchmark-Tabelle als schnellste SSD angeführt. Konkurrenz bekommt sie jetzt aus eigenem Haus in Form des Nachfolgers 960 PRO. Dabei handelt es sich um mehr als ein kosmetisches Update, denn Samsungs neuste M.2-SSD mit NVMe-Interface ist insbesondere... [mehr]

Toshiba OCZ RD400 SSD mit NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/TOSHIBA-OCZ-RD400/TEASER

Auch Toshiba steigt jetzt mit der OCZ RD400 SSD in die Königsklasse der schnellen Halbleiter-Laufwerke mit NVMe-Interface ein. Mit einem PCI-Express-Interface der dritten Generation und vier Lanes verspricht Toshiba eine Performance von bis zu 2.600 MB/s beim Lesen und 1.600 MB/s beim Schreiben,... [mehr]