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Intel: Phase Change RAM gegen Ende 2007

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Intel hat diese Woche Informationen zu ihrer Speicher-Roadmap bekanntgegeben. So sollen erste Exemplare des neuartigen nichtflüchtigen Speichers bereits in diesem Jahr verfügbar sein und die Massenproduktion könne gegen Ende dieses Jahres starten. Die Vorteile von "Phase Change RAM" sind eine höhere Geschwindigkeit, bessere Möglichkeiten der Strukturverkleinerung und eine mit 100 Millionen deutlich höheren Anzahl an Schreib-/Lesezyklen im Vergleich zu 10.000 von normalen Flash-Speicher. Intel hat bereits einen ersten Wafer im 90 nm Verfahren hergestellt und festgestellt, dass der neue Speicher zum schreiben etwa so viel Strom benötigt wie Flash-Speicher und die Daten länger als 10 Jahre bei 85°C gespeichert bleiben. Damit liegt Intel vor anderen Lizenznehmern von Ovonyx Inc., auf dessen Chalkogenid-Glas der Speicher basiert, wie IBM, dessen Forscher im Dezember letzen Jahres bereits lauffähige Exemplare zeigten, die 500 mal schneller schalteten und dabei nur halb so viel Strom benötigten wie Flash-Speicher.Doch es gibt noch weitere namhafte Unternehmen im Wettlauf. So sind Samsung, Elpida, Qimonda, Lockheed Martin und STMicroelectronics ebenfalls Lizenznehmer bei Ovonyx und potentielle "Phase Change RAM" Hersteller.





Der 90 nm Wafer neben einem CD-RW oder DVD-RW, welche ebenfalls auf Chalkogenid-Glas basieren.

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