IDF16: 10-nm-Technik im Zeit- und Performanceplan

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idf2016In einer Session zu Intels Produktionstechnik gab Mike Bohr einen Einblick in den Stand der Entwicklungen der 10-nm-Fertigungstechnik. Nachdem man sich im letzten Jahr auf dem IDF mit Ankündigungen im Bereich der Fertigungstechnik zurückgehalten hat, gab man sich jetzt zuversichtlich: Intel sei insbesondere bezüglich der 10-nm-Technik im Plan und können im Vergleich zu anderen Herstellern auch tatsächlich einen Vorteil aus der neuen 10-nm-Fertigungstechnik ziehen. Grund hierfür seinen die Unterschiede in den Strukturangaben: Während bei Intels 14-nm-Technik beispielsweise der Transistor Gate Pitch und die Logic Transistor Area sich in einem ähnlichen Verhältnis wie die Fertigungstechnik verkleinert, ist dies bei anderen Herstellern nicht der Fall. Gerade bei der kommenden 10-nm-Technik sei man hier dann deutlich im Vorteil.

Wie auch schon bei der 14-nm-Technik wird es auch für die 10-nm-Technik unterschiedliche Ausbaustufen geben, die auf unterschiedliche Marktbereiche optimiert sind. Für den Performance-Part wird dabei ein anderer Prozess verwendet, als beispielsweise für Ultra-Low-Voltage-Prozessoren. Auch den bestehenden 14-nm-Prozess wird man nochmals optimieren, für Kaby Lake steht dann der sogenannte "14+"-Fertigungsprozess zur Verfügung, der wahrscheinlich Optimierungen hinsichtlich Yields, Taktfrequenzen und/oder Stromverbrauch enthalten wird. Für den 10-nm-Prozess wird es entsprechend drei Prozesse geben (10, 10+ und 10++), die Intel auch als Auftragsfertiger anbieten wird.

Zuversichtlich ist man auch, den Trend aufrecht erhalten zu können, dass bei kommenden Fertigungstechniken immer die Kosten pro Transistor gesenkt werden können. Dieser Trend ist bei 10 nm weiter vorhanden, auch wenn durch die höheren Aufwände, die für die Produktion gemacht werden müssen, Gründe dagegen stehen, dass der Trend nicht fortgesetzt werden könnte. Intels Transistoren verkleinern sich aber in einem so hohen Faktor, dass trotzdem Einsparungen gemacht werden können.

Einen Ausblick gab Bohr auch auf die kommende 7-nm-Fertigung: Hier war man bislang davon ausgegangen, dass Intel auf die Extreme Ultraviolet Technology zurückgreifen müsse, da man die kleinen Strukturgrößen mit klassischer Lithographie nicht mehr erreichen könne. Bohr sagte aber, dass auch bei der 7-nm-Fertigung zunächst auf die klassische Lithographie gesetzt wird und dies auch kein Problem darstellt. EuV wäre im Vergleich noch zu teuer, aber sobald entsprechende Tools zur Verfügung stehen würden, könne man einen Teil der Waferproduktion auf EuV umstellen.