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Neue Informationen zum 'Nehalem' von Intels IDF in Taipeh

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Derzeit findet in der taiwanischen Stadt Taipeh die Entwicklerkonferenz "Intel Developer Forum" (IDF) statt. Auf diesen Messen rückt Intel in der Regel mit Informationen zu bald erscheinenden Produkten heraus. In diesem Fall geht es um den "Bloomfield", den ersten Prozessor der "Nehalem"-Architektur. Schon seit Längerem existieren Berichte, nach denen eine RAM-Spannung von deutlich über 1,65 Volt dem Prozessor aufgrund des integrierten Speichercontrollers dauerhaft schaden könne. Dies ist insofern schlecht, als dass die meisten High-End-RAMs mit deutlich mehr Spannung, teilweise mit mehr als zwei Volt, betrieben werden. Inzwischen gibt es aber einige Triple-Channel-Kits, die mit der spezifizierten Spannung von 1,65 Volt laufen. Wie Fudzilla nun berichtet, soll der Wert von 1,65 Volt nur eine Vorsichtsmaßnahme von Intel sein, da die höhere Spannung den Prozessor nicht sofort zerstört, sondern nur dessen Lebensdauer verringert.Wie stark dieser Effekt ist und ab welcher Spannung die Lebensdauer rapide sinkt, soll nicht einmal Intel selbst wissen. Dank des Triple-Channel-Interfaces dürfte eine derart hohe Spannung ohnehin nur die Extrem-Übertakter auf Jagd nach neuen Rekorden interessieren. Für den normalen Nutzer steht ohnehin schon genug Bandbreite zur Verfügung.

Weitere Informationen gibt es zu der "Turbo-Boost"-Technologie. Über diese Technologie wird der Takt einzelner Kerne angehoben, wenn die anderen keine Berechnungen durchführen. Anwendungen die noch nicht alle Kerne nutzen können, sollen auf diese Weise beschleunigt werden. Diese Funktion soll bei dem Core i7 Extreme mit freiem Multiplikator weiterhin funktionieren. Wie stark der Takt dabei erhöht wird, wollte gegenüber Fudzilla kein Intel-Repräsentant genau sagen. Die Leistung solle über zwei "speed bins" angehoben werden. Vielleicht sind hiermit zwei Multiplikatoren gemeint, also eine Erhöhung um 266 MHz.

In einer weiteren News sprach Fudzilla über RAM-Konfigurationen. So sollen die RAM-Teiler frei sein und nicht mehr vom Referenztakt abhängen. Ein Problem bei Intels Chipsätzen war bisher, dass bei dem Übertakten per Frontside-Bus (FSB) der RAM-Takt mit anstieg und dies nicht immer durch die Wahl eines kleinen Teilers kompensiert werden konnte. Bei "Bloomfield" soll dies kein Problem mehr sein, sodass der RAM nicht mehr aufgrund ungünstiger Teiler zu gering getaktet wird oder beim Übertakten behindert. Des Weiteren wird es möglich sein, unterschiedliche RAM-Größen miteinander zu kombinieren. Durch "interleaving" ist es beispielsweise möglich ein 4-GB-Dual-Channel-Kit, bestehend aus zwei Modulen mit einem 2-GB-Kit aus zwei Modulen zu kombinieren. In jedem Kanal müssen dann zwei GB an Kapazität gesteckt werden. Diese Funktion dürfte einigen Lesern bereits von bisherigen Chipsätzen bekannt sein.

Auf "Bloomfield"-Mainboards und -Prozessoren müssen wir nur noch bis zum 17. November warten, dann sollte es auch unabhängige Testberichte geben.



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