Samsung entwickelt V-NAND mit 160 Layer

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samsungSamsung entwickelt derzeit die inzwischen 7. Generation seines V-NAND. Ziel der neusten Generation ist vor allem die Erhöhung der Layer, um die Speicherdichte der einzelnen Chips noch weiter zu erhöhen und damit gleichzeitig die Produktionskosten zu senken. Die 7. Generation wird laut ersten Informationen des Herstellers mit mindestens 160 Layern daherkommen. Zudem könnte dadurch auch die Geschwindigkeit erhöht werden.

Um die hohe Anzahl an Layern zu erreichen, wird Samsung im Vergleich zu den vorherigen Generationen auf eine neue Technik setzen. Der Hersteller soll demnach das sogenannte Double-Stack einsetzen. Man wird bei Samsung also zukünftig auf zwei Layer-Stacks zurückgreifen. Neu ist diese Technik allerdings nicht, denn die Kontrahenten nutzen Layer-Stack bereits seit längerer Zeit.

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Derzeit unbekannt bleibt noch, welche Speicherdichte Samsung mithilfe der 160 Layer erzielen möchte. Nur aufgrund der Anzahl der Layer lässt sich nicht auf die Speicherdichte schließen. Dies hängt vor allem von der Qualität der einzelnen Layer ab und auch ob man auf TLC- oder QLC-NAND zurückgreift.

Samsung wird jedoch sicherlich in den kommenden Wochen noch weitere Details zu der 7. Generation des V-NAND bekanntgeben. Dort wird der Hersteller dann eventuell auch schon einen möglichen Produktionsstart verraten und wann die ersten Produkte mit den neusten Speicherchips im Handel stehen werden.