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Samsung produziert Chip-Muster in 50-nm-Strukturbreite und 2-GBit-Kapazität

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Der südkoreanische Konzern Samsung hat erste Muster seiner DDR3-Chips in 50-nm-Strukturbreite und 2-GBit-Kapazität hergestellt. Die neuen Chips bieten nicht nur die doppelte Speicherdichte, sondern sollen im Vergleich zu ihren Vorgängern 40 Prozent weniger Energie benötigen. Bei Datenraten von 1,3 GB/s soll die Spannung bei 1,5 oder 1,35 Volt liegen. Mit den neuen Chips sollen RAM-Riegel mit 8-GB-Kapazität möglich werden, bei Notebook-Speicher sollen es immerhin noch 4 GB sein. Durch den Einsatz von "dual-die-packages" soll die Kapazität sogar auf 16 GB pro Riegel steigen. Entsprechende Riegel werden allerdings entsprechend teuer sein, selbst DDR2-Riegel mit 8 GB an Kapazität sind kaum erhältlich. Im nächsten Jahr möchte sich Samsung auf diese Chips konzentrieren, was in Anbetracht der niedrigen Preise für DDR2-Chips sinnvoll ist. Des Weiteren sollte aufgrund von Intels Nehalem und AMDs Deneb die Nachfrage an DDR3-Speicher steigen.



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