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SK Hynix hat erste Pläne für die Bauten des Yongin Semiconductor Cluster veröffentlicht. In diesem planen Samsung und SK Hynix gewaltige Investitionen, die über das aktuelle und kommende Jahrzehnt im Bereich von 300 bzw. 410 Milliarden US-Dollar bewegen sollen. Dabei werden gewisse Parallelen zwischen den Plänen von Samsung und der Fab P5 und den Planungen von SK Hynix offensichtlich.
In einer ersten Phase will SK Hynix nun zusätzliche 15 Milliarden US-Dollar verbauen. Die erste Fab soll bis Dezember 2030 stehen und voll ausgestattet sein. Investitionen über 6,5 Milliarden US-Dollar wurden bereits im Juli 2024 angekündigt, jetzt landet man bei insgesamt 21,5 Milliarden US-Dollar für die erste Fab.
Für die erste Stufe des Ausbaus plant SK Hynix den Bau der kompletten Hülle für die erste Fab. Weiterhin soll der erste Reinraum fertiggestellt werden. Weitere fünf Reinräume werden in den Phasen 2 bis 6 nach und nach ausgestattet. Die Besonderheit im Aufbau besteht hier darin, dass diese neuen Gebäude drei Reinräume übereinander vorsehen. Bisher bauten Samsung und SK Hynix solche Gebäude mit zwei Reinraum-Etagen. Die Gebäudehöhe wächst damit natürlich auch, der Platz und die notwendige Infrastruktur werden aber auch extrem effizient genutzt.
Um die Dimensionen noch einmal zu verdeutlichen: SK Hynix beschreibt hier den Bau eines gigantischen Gebäudes mit sechs Reinräumen. Für das gesamte Cluster sieht SK Hynix bis zu sechs dieser Gebäude vor.
Dank effizienter Prozesssteuerung kann die Eröffnung des ersten Reinraums von Mai auf Februar 2027 vorgezogen werden. Hier hergestellt werden sollen DRAM-Chips und die entsprechenden Endprodukte wie LPDDR, DDR und HBM.
Aktuell kann SK Hynix, genau wie die Konkurrenz, jeden DRAM‑Chip auch in einem entsprechenden Produkt, sei es Arbeitsspeicher (DDR und LPDDR) oder HBM, unterbringen. Der KI-Markt saugt sämtliche Kapazitäten gierig auf und lässt die Speicherpreise explodieren.
