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Mitte Juli dieses Jahres vermeldeten verschiedene Quellen rund um das 2016 gegründete deutsche Start-up FMC (Ferroelectric Memory Company), dass man die Herstellung von Speicherchips wieder nach Europa oder besser gesagt nach Deutschland bringen möchte.
Nun vermeldet das Handelsblatt, dass FMC 100 Millionen Euro an Investitionen eingesammelt habe, was das Unternehmen dem Ziel, die Herstellung von Speicher auf europäischen Boden zu bringen, ein Stück näher bringen würde. 77 Millionen Euro kommen von Finanzinvestoren, die weiteren 23 Millionen aus einer staatlichen Forschungsförderung.
Auf den ersten Blick klingen diese 100 Millionen nach viel Geld, im Vergleich zu den weltweit getätigten Investitionen in diesem Segment ist das jedoch vergleichsweise wenig. Die großen Speicherhersteller wie Micron, Samsung und Sk Hynix machen Milliardenumsätze und investieren aktuell kräftig in die Erweiterung der Fertigungskapazitäten. Neue oder gerade entstehende Speicherhersteller wie das südkoreanische Startup Rebellion sammelten kürzlich 250 Millionen US-Dollar ein.
FMC hat nun weiteres Geld für das Design der eigenen Speicherchips. Eine eigene Fertigung wird es zunächst nicht geben. Wo genau FMC seine Chips wird fertigen lassen, wollte CEO Thomas Rückes gegenüber dem Handelsblatt nicht verraten. Möglicherweise bleibt man in direkter Nähe und entscheidet sich für Globalfoundries.
Weiterhin arbeitet FMC daran, ein eigenes Chipwerk zu bauen. Dazu soll FMC bei Regierungskreisen eine Förderung um Bereich von 1,3 Milliarden Euro erfragt haben. Ob es jemals dazu kommt, dass solche Summen in eigenes Chipwerk gesteckt werden, ist ebenso fraglich, wie die Durchsetzung der DRAM+-Technologie selbst. Seit Jahrzehnten arbeiten verschiedene Unternehmen immer wieder an einem neuen, revolutionären Chiptyp. Bisher ist von diesen allerdings wenig zu sehen und DRAM ist der Quasi-Standard für flüchtigen und schnellen Speicher.
DRAM+-Chips von FMC
FMC arbeitet an einer neuen Generation nichtflüchtiger Speicher, die sich sowohl als DRAM als auch als SRAM einsetzen lässt. Herzstück der Technologie ist ein Material namens Hafniumoxid, das unter elektrischer Spannung seine Struktur verändern kann. Die Sauerstoffatome darin nehmen zwei stabile Positionen ein – nach oben, oder nach unten – und erzeugen so ein Signal, das sich als logischer Zustand speichern lässt.
Im Unterschied zu klassischen Speicherarten wie DRAM oder SRAM benötigt die Lösung von FMC keine regelmäßigen Refresh-Zyklen, um Daten zu erhalten. Die Idee, Hafniumoxid auf diese Weise zu nutzen, ist noch relativ jung. Aktuelle Forschungsergebnisse zeigen jedoch, dass sich das Material hervorragend für Speicherapplikationen eignet. Es ist robust, hitzebeständig und langlebig – und bietet zugleich hohe Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit.
FMC nennt einen Einsatztemperaturbereich von -40 bis 150 °C sowie eine Lebensdauer von bis zu 10¹⁵ Schreibzyklen. Daten sollen über einen Zeitraum von zehn Jahren stabil gespeichert bleiben. Mit einer Betriebsspannung von lediglich 1 V und Schaltzeiten unter einer Nanosekunde positioniert sich die neue Speichertechnologie zudem als extrem leistungsfähig und energieeffizient.
