Aktuelles

Samsung will ab 2025 in 2 nm produzieren

Thread Starter
Mitglied seit
06.03.2017
Beiträge
30.713
samsung.jpg
Auf dem Samsung Foundry Forum hat der koreanische Großkonzern über seine Pläne hinsichtlich der Fertigung gesprochen. Dabei greift Samsung gar nicht so weit vor und will schon ab Ende 2022 mit der Fertigung in 3GAE (3 nm Gate All Around Early) – so wie man dies auch zuletzt bereits bekräftigte. Für eine Fertigung besonders wichtig ist dabei die Ausbeute. Nach aktuellem Stand soll 3GAE auf Niveau der Fertigung in 4 nm zum gleichen Entwicklungsstand sein. Ein paar Monate später (2023) geht es dann mit 3GAP (3 nm Gate All Around Plus) weiter.
... weiterlesen
 
Wenn Du diese Anzeige nicht sehen willst, registriere Dich und/oder logge Dich ein.
Wenn Du diese Anzeige nicht sehen willst, registriere Dich und/oder logge Dich ein.

smalM

Enthusiast
Mitglied seit
30.04.2008
Beiträge
1.680
Ort
Civitas Tautensium, Agri Decumates
Dabei greift Samsung gar nicht so weit vor und will schon ab Ende 2022 mit der Fertigung in 3GAE (3 nm Gate All Around Early) – so wie man dies auch zuletzt bereits bekräftigte.
Was will Samsung?

3GAE und 3GAP sollen [...] eine Verkleinerung der Strukturen von 45 % gegenüber 7LPP ermöglichen.
Das machte eine theoretische Dichte von 180 MT/mm².

Von 4LPP verspricht sich Samsung vor allem Verbesserungen in der Leistung. Bei der Packdichte scheint sich gegenüber 5LPE und 5LPP nicht viel zu tun.
4LPE/4LPP wurden erst kürzlich zu einer eigenen Node-Familie umgemodelt; vorher waren das einfach Fortführungen vom 5LPP. Mehr als eine Änderung auf den Marketingfolien gab's aber wohl nicht.

Um die Nachfrage in den kommenden Monaten decken zu können, plant Samsung zudem den Ausbau seiner Fertigungsstätten in Südkorea und den USA.
Samsung baut bereits an Pyeongtaek Phase 3, Phase 2 soll dieses Jahr in Betrieb gehen.
Die Austin Fab hat hingegen noch keinen Standort.
Mit den kommenden Monaten hat die nichts zu tun, es sei denn der Autor und ich haben über "kommend" völlig unterschiedliche Ansichten... ;)
 
Zuletzt bearbeitet:

Holt

Legende
Mitglied seit
05.07.2010
Beiträge
22.932
Die nm Angaben sind doch schon lange Unsinn und verschwinden daher auch aus den Bezeichnungen, die jetzt eben 7LPP, 4LPP, 3GAE oder 2GAP sind und daher ist es gut, dass Intel seine Namensschema auch umgestellt hat. Früher war das nämlich so, dass dies zwar auch keine echten Strukturgrößen hat, aber das Quadrat der Zahl im Verhältnis zur Dichte der Transistoren stand, also beim Schritt von 22nm (22² = 484 ) auf 14nm (14² = 196) eben etwa 2,4mal so viele Transistoren auf der gleichen Fläche untergebracht wurden (laut Intel waren es 15,3 zu 37,5MT/mm²). Wenn nun aber Samsung von 7LPP auf 3GAE nur eine "Verkleinerung der Strukturen von 45 %" hat, also auf 55% dann wäre nach dem alten Schema eher ein 5nm Prozess. Ebenso müsste der 17nm Prozess, der gegenüber dem 28nm nur 43% spart, eher als 22nm bezeichnet werden, denn 17nm würden gegenüber 28nm nach dem klassischen Namensschema 2,7x so viele Transistoren pro mm² bedeuten, also nur 37% der Fläche für die gleiche Anzahl an Transistoren benötigen und damit 63% der Fläche einsparen.

Wie man sieht ist also das Marketing bei den Namen der Prozesse den Technikern schon weit vorausgeeilt!
 
Zuletzt bearbeitet:

Wutnischl

Experte
Mitglied seit
12.05.2013
Beiträge
93
Intel: "Mom, can I have 2nm"
Mom: " No, we have 2nm at home"
2nm @ home: "10mn+++++++"

Sorry, das musste raus :fresse2:
 
Oben Unten