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Intel entwickelt 3D-Tri-State-Transistor für 22 nm-Fertigung (Update mit Videos)

Don

[printed]-Redakteur, Tweety
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Intel entwickelt 3D-Transistor für 22nm-Fertigung

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Dr.Cupido

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Wohow, 2002 wurde in der CT über die 3d Tristate Transistoren berichtet. Da waren die Meinungen noch geteilt, ob es so eine Fertigung überhaupt in die Massenproduktion schaffen würde.

Dann dürfen wir uns wohl bei Ivy Bridge auf etwa 10-20W weniger Verbrauch der Prozessoren unter Volllast freuen ;)
 

FischOderAal

Keksjunkie
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Hier auch ein gutes Video das die Technik erklärt.
http://www.youtube.com/watch?v=YIkMaQJSyP8
 

Didee

Neuling
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Wortkorrektur des Artikels:

"Bereits 2002 präsentierte Intel diese Technologie, schafft es aber bereits jetzt in die Serienfertigung. "

"bereits" --> "erst"
 

mr.dude

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Lustig, wie Intel seine FinFET Entwicklung dem gemeinen Volk als irgendwas tolles neues "3D" verkaufen will. Nur zur Info, andere Unternehmen entwickeln ebenfalls in diese Richtung. ZB die IBM Allianz plant wohl ähnliches für 22 nm.

Vorerst wird es bei Intel aber wohl erstmal beim Cache bleiben, siehe hier.
 

Undertaker 1

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Während andere noch an Dual-Gate Transistoren forschen, sind hier Tri-Gate Transistoren bereits in diesem Jahr in Massenproduktion. Das ist der Unterschied. Auf Transistorebene ist diese Entwicklung der größte Entwicklungsschritt seit Jahren.
Wenn die 14nm und 10nm Prozesse ebenso planmäßig 2013 und 2015 antreten, wird es für die Fortsetzung des erfolgreichen Tick-Tock-Models die nächsten Jahre keine produktionstechnischen Hindernisse geben. Und da wurde Moore's Law schon mehrfach totgesagt. ;)
 

mr.dude

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Ob 2 oder 3 Gates, ist im Endeffekt doch völlig belanglos. Das ist so, als würde man sagen, ein 3-Kern Prozessor ist was völlig neues und revolutionäres im Vergleich zu einem 2-Kern Prozessor. Ist er das? Nicht wirklich. Es geht grundsätzlich um FinFET, das ist das eigentliche Thema. Und hier entwickeln andere Unternehmen genauso. Ich frage mich eher, um wie viel teurer die Fertigung mit FinFET wird und inwiefern das dann auf uns Kunden zurückfällt. Und wie macht sich SOI bei FinFET bemerkbar. Schliesslich wird Intel weiterhin darauf verzichten, was nachteilig bezüglich Leakage ist.
 

Undertaker 1

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Eine technische Entwicklung ist immer genau so bahnbrechend, wie sie ihrer Zeit voraus ist. Durchbrüche, die hier bereits demnächst die Massenfertigung ermöglichen, müssen an anderer Stelle noch geschafft werden - und das möglichst ohne den zeitlichen Rückstand weiter zu vergrößern.
SOI verschlechtert thermische Eigenschaften des Transistors und lässt sich nicht mit dem von Intel genutzten Strained Silicon Verfahren vereinen, wird also ganz bewusst nicht genutzt - die Nachteile wären offensichtlich größer als die Vorteile, denn per Patentaustauschabkommen wäre der Zugriff auf die Technologie selbst kein Problem. Auch bei IBM/GF ist das Ende von SOI immer wieder im Gespräch, schon für 32nm war die Fortführung der Technologie vor einigen Jahren ganz offen in Frage gestellt worden. Mal schauen, ob SOI mit 22nm oder dem nachfolgenden Prozess evntl. komplett begraben wird.

Das Kostenthema sehe ich unkritisch. Die Kosten werden hier in erster Linie für die Forschung entstehen, oder hast du durch die Einführung von SOI und Immersionslithografie ihrerzeit einen Preissprung bemerkt? Mit jeder Strukturverkleinerung steigen die Kosten für Entwicklung und die Ausrüstung der Fabs, was durch die gesenkten Produktionskosten pro Transistor wieder hereingespielt wird.
 
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CyLord

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Intel schreibt viel über sowas. Die Konkurrenten halten sowas grundsätzlich geheim. Von daher würde ich kein Technologievorsprung daraus herleiten.
 

Chezzard

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@DyLord: Epic Fail.

Intel veröffentlicht nur unwichtige Infos, die keinem der sowas entwickelt helfen.

Das ist wie wenn ich dir einen Fertigen 10-Schchtigen Kuchen vorsezte, und du den genau so nachbacken sollst.

Was diese Tri-Gate technologie bringen wird, wird sich zeigen, jedoch sollte man am anfang jeder neuen Technologie nicht zu viel erwarten, da man immer was verbessern kann.

Hier n paar Prozent, da n Paar Prozent und tada schon ist man 20% Schneller.
 

DonBanana

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Was hier wieder rumgeeiert wird. Bei Bulldozer sprangen alle vor Freude im Dreieck, aber kaum kündigt Intel einen fortschrittlichen und massenfertigungstauglichen Technologiesprung an mit 50% reduziertem Verbrauch bei gleichbleibender Leistung, kann man nur lamentieren.
 

scully1234

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Was hier wieder rumgeeiert wird. Bei Bulldozer sprangen alle vor Freude im Dreieck, aber kaum kündigt Intel einen fortschrittlichen und massenfertigungstauglichen Technologiesprung an mit 50% reduziertem Verbrauch bei gleichbleibender Leistung, kann man nur lamentieren.

Na das muss sich erst noch herausstellen ob diese Transistoren das wirklich auch alle durch die Bank in diesen Dimensionen schaffen,schließlich ist es auch für Intel Neuland und am Anfang von sowas auch immer viel Marketinggeplänkel

Zum anderen Gesagten kann ich dir allerdings nur zustimmen
 

DonBanana

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Sicher muss sich noch zeigen, ob sich das bis zu diesem Grad bewahrheitet, aber im Grunde habe ich hier dieselben Fakten an der Hand wie andere damals beim Bulldozer, nur dass hier der Technologiesprung eine andere Dimension hat. Es ist, als müsste man AMD zu jedem kleinen Schritt beglückwünschen und Beifall klatschen, auf Intel kann man rumtrampeln (Multikonzern, Bestechung, bla, bla). Vielleicht könnte man das alles mal ausblenden und sich nur der Technik an sich widmen. Ich will mich auf keine Seite schlagen und bin begeistert davon, wie gut AMD sich dennoch am Markt hält, aber man sollte doch dieser Entwicklung Intels Respekt zollen.
 

scully1234

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Es steht doch eindeutig da das die Leistung dadurch gesteigert wird um 37%.

Wo?

Bis jetzt gibt es dazu noch keine gesicherten Angaben da ja verständlicherweiße noch niemand in den Testredaktionen Ivy Bridge Samples besitzt und dazu konkrete Aussagen machen kann;)

Wenn sich was bestätigt dann erst zum Release

---------- Beitrag hinzugefügt um 17:05 ---------- Vorheriger Beitrag war um 17:05 ----------

aber man sollte doch dieser Entwicklung Intels Respekt zollen.

Jop wohl war
 

Grummel

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Im Vergleich zu aktuellen zweidimensionalen Transistoren schalten Tri-Gate-Transistoren bis zu 37 Prozent schneller, brauchen dafür aber deutlich weniger Schaltstrom. Bis zu 100 Milliarden Mal soll ein solcher Transistor laut Intel umschalten können - pro Sekunde.
Quelle: Spiegel

100 Milliarden mal umschalten - heisst das, man kann das Ding (theoretisch) bis auf 100 Ghz takten. :fresse:
 
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mr.dude

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Intel schreibt viel über sowas. Die Konkurrenten halten sowas grundsätzlich geheim. Von daher würde ich kein Technologievorsprung daraus herleiten.
Sehe ich ähnlich. Wobei IBM ja auch gerne die Werbetrommel rührt. Letztendlich ist das alles nichts wirklich neues oder zumindest nichts, woran andere nicht auch arbeiten.

Wie schon gesagt, es ist ein Nachteil für Intel, dass sie (noch) kein SOI nutzen (wollen). SOI FinFET wird zumindest nachgesagt, dass es weniger komplex ist und damit weniger Prozesskosten anfallen. Scheinbar versucht Intel solange wie möglich, drumherum zu kommen. Gut möglich, dass sie in Zukunft aber gezwungen sein werden, auf SOI zu wechselt. Wobei ihnen das Patentaustauschabkommen mit AMD da nichts nützt. Die SOI Technologien gehören zu GloFo bzw IBM. Und bei denen steht SOI stärker auf dem Fahrplan denn je. Was natürlich auch die Frage nach den Kosten der Chips auf FinFET Basis aufwirft. Will Intel seine Margen halten, darf man wohl zu Beginn von Ivy Bridge nicht mit günstigen Preisen rechnen. Auf der anderen Seite, sollte es wirklich erstmal nur Cache betreffen, sollten sich zusätzlichen Kosten auch in Grenzen halten. Die Gewinne durch das veränderte Transistordesign halten sich dann allerdings auch in Grenzen. Nicht zu vergessen, dass andere Fertiger hier ebenfalls einige Neuerungen auf der Roadmap haben, siehe T-RAM.

Ein weiterer Punkt ist, dem GloFo 28 nm Prozess wird nachgesagt, ähnliche Packdichten zu besitzen wie Intels 22 nm Prozess. Das würde stark dafür sprechen, dass Intels Transistoren durch das Tri-Gate Design grösser werden und man praktisch keinen Grössenvorteil mehr durch kleinere Strukturen hätte. Was interessant werden dürfte, wenn GloFo 2H 2012 oder 1H 2013 20 nm anbieten will.


Es steht doch eindeutig da das die Leistung dadurch gesteigert wird um 37%.
Na ja, das ist aber lediglich die Transistorleistung. Das heisst doch noch lange nicht, dass auch der damit gefertigte Prozessor im selben Masze leistungsfähiger wird. Hier geht es um Schaltzeiten und nicht um zB Taktrate. Das scheinen viele Leute schnell mal in den selben Topf zu werfen.
 
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scully1234

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Letztendlich ist das alles nichts wirklich neues oder zumindest nichts, woran andere nicht auch arbeiten.

.

Das ist aber der Punkt Intel liefert aller Voraussicht nach Ende des Jahres ein fertiges funktionstüchtiges Produkt

Während andere ganz vorsichtig bei noch kleineren Strukturen angedeutet haben das sowas mal kommen wird

Hier klafft ein Entwicklungsfenster was nicht zu übersehen ist
 

mr.dude

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Entwicklungsfenster kann man es sicherlich nicht nennen. Die Frage ist doch, wie stark man sowas wirklich forciert und wie profitabel das ganze ist. Da könnte man genauso behaupten, Intel hat einen gewaltigen Entwicklungsrückstand, weil sie erst bei 32 nm auf Immersionslithografie setzten. GloFo hat das schon bei 45 nm getan. Letztendlich ist es wie so oft eine Kosten-Nutzen-Frage. Und was für das eine Unternehmen gilt, muss für ein andres Unternehmen noch lange nicht gelten. Sollte es erstmal wirklich nur den Cache betreffen, ist "funktionstüchtiges Produkt" natürlich auch etwas irreführend. "Teile eines zukünftigen Produktes" würde es da momentan eher treffen.
 

Undertaker 1

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2-3% höhere Kosten pro Wafer durch Tri-Gate, das ist ja fast nichts - verglichen zur Ersparnis der gesteigerten Packdichte gegenüber 32nm.
 
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ONE_FOR_ALL

Semiprofi
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In üblichen Magazinen wird gemutmasst nur der Cache pofitiert von diesem neuen Herstellungsprozess.
 
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