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IDF16: 10-nm-Technik im Zeit- und Performanceplan

dbode

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<p><img src="/images/stories/idf2016.jpg" alt="idf2016" style="margin: 10px; float: left;" />In einer Session zu Intels Produktionstechnik gab Mike Bohr einen Einblick in den Stand der Entwicklungen der 10-nm-Fertigungstechnik. Nachdem man sich im letzten Jahr auf dem IDF mit Ankündigungen im Bereich der Fertigungstechnik zurückgehalten hat, gab man sich jetzt zuversichtlich: Intel sei insbesondere bezüglich der 10-nm-Technik im Plan und können im Vergleich zu anderen Herstellern auch tatsächlich einen Vorteil aus der neuen 10-nm-Fertigungstechnik ziehen. Grund hierfür seinen die Unterschiede in den Strukturangaben: Während bei Intels 14-nm-Technik beispielsweise der Transistor Gate Pitch und die Logic Transistor Area sich in einem ähnlichen Verhältnis wie die Fertigungstechnik...<br /><br /><a href="/index.php/news/hardware/prozessoren/40066-idf16-10-nm-technik-im-zeit-und-performanceplan.html" style="font-weight:bold;">... weiterlesen</a></p>
 
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lll

Guest
Beeindruckend was Intel noch herausholt, das werden wir wohl erst in einigen Jahren mit Ice Lake erleben dürfen.
Wo wäre bei Extreme Ultraviolet Technology eigentlich die Grenze?
 

Holt

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auch wenn durch die höheren Aufwände, die für die Produktion gemacht werden müssen, Gründe dagegen stehen, dass der Trend nicht fortgesetzt werden könnte.
Kann es sein, dass das nicht dort nicht hin gehört?
 
Zuletzt bearbeitet:

Nighteye

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Sobald 10nm CPU,s von denen rauskommen, komme ich mir mit meinen 32nm langsam echt Obselet vor :fresse:

Wird auch jedenfall der Natur gut tun das Intel den Fortschritt weiter Pusht :)
 

Nimrais

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Interessant wie sich dieses xxnm immer noch hält :P Die Gitterkonstante des Siliziums ist 0.54nm. Das bedeutet, ein Siliziumtransistor kann minimal 1.62nm gross werden (besteht dann quasi nur noch aus 3 Atomen).
Ein Intelvertreter selbst sagte vor ca einem Jahr, dass an dem 14nm Prozess nichts 14nm gross ist, sondern die Packungsdichte der Elemente der eines klassischen Transistoren in 14nm entspreche.

Die 14nm Technologie zeigt sich indes ziemlich grob was die tatsächlichen Grössen angeht:
Gate Pitch 70nm, kleinste Strukturabstände 42nm...

Da ist wirklich nichts dran, was 14 Nanometer groß ist.
- William Holt, Leiter der Halbleiterfertigung, über Broadwell
 
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[HOT]

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Na ja, vom eigenen Zeitplan ist man ja schon Jahre entfernt. Eigentlich sollten 10nm-Prozessoren jetzt verfügbar werden, IceLake wird aber wohl 2019. Dass Cannonlake, der Ende 2017 oder Anfang 2018 kommt, den Prozess nutzt mit seinen <60mm² (und ARM-Chips mit ähnlichen Größen), man aber größere Chips vermeidet ist wohl kaum ein Zeichen dafür, dass der Prozess so super im Plan ist... das ist wieder alles pures Marketing, sonst nix.
TSMC + Apple und Qualcomm + Samsung sind hier mMn weiter und haben Intel überholt. Selbst wenn TSMCs 10nm größer sind als Intels 10nm, das hat in der Vergangenheit auch nie eine Rolle gespielt, als die Intel-Prozesse immer größer waren als die der Konkurrenz (also bis 32nm). Zudem sind die Packdichten der Intel-Chips immer relativ schwach.

Was EUV-Technik angeht, sind wohl GloFo/IBM derzeit am weitesten, was die Technologie angeht. Das heißt aber nix.
 
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Holt

Legende
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Ein Intelvertreter selbst sagte vor ca einem Jahr, dass an dem 14nm Prozess nichts 14nm gross ist
Das ist ja bei den anderen auch nicht anderes, deshalb vergleich Intel ja auch die Kenngrößen um dann festzustellen, dass ihre 14nm Strukturen die kleinsten sind :d Ob es stimmt, sei mal dahingestellt, es ist eben bei allen schon länger als nur seit den 14nm Prozessen nur noch Marketing.
 
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