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Ab 2022 in 3 nm: Samsungs Multi Bridge Channel FET als Zukunft der Halbleitertechnik

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Samsung stellt mit den Multi Bridge Channel FETs (MBCFET) die nächste Generation der Feldeffekttransistoren (FET) vor. Diese sollen alle aktuellen physikalischen und elektrischen Schranken umgehen können und ab 2022 bei Samsung in der Massenfertigung in 3 nm zum Einsatz kommen. Bereits 2021 soll es aber erste Samples geben.
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DeckStein

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"Vor einigen Jahren sprach Intel davon ab 2023 erste GAA-Transistoren zu verwenden. Ob diese Zeitpläne noch aktuell sind, ist nicht bekannt."

:haha:
 
  • Haha
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smalM

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"Dieser GAAFET auf Nanoblechbasis ist das, was Samsung einen Multi-Bridge Channel FET oder MBCFET nennt."

Nanoblech?
Laßt mich raten, im Original stand da nano sheet und Ihr habt Euch bei all den möglichen Übersetzungen von sheet ausgerechnet für Blech entschieden.

BTT:
Hut ab, wenn Samsung das tatsächlich so hinkriegt.
Nur erinnere ich mich an die vollmundigen Ankündigungen zum 7nm EUV Prozeß, wie toll der laufen würde und man hätte schon tausende Wafer prozessiert.
Und dann wurde 7LPE sang- und klanglos als "intern" kassiert. Im Endeffekt war man kein Deut weiter als TSMC, nur konnte man keinen funktionierenden 7nm DUV Prozeß anbieten.
Und so bin ich ob des angegebenen Zeitrahmens doch eher skeptisch...
 
Zuletzt bearbeitet:

Unrockstar

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Das klingt spannend, aber Mal schauen was die 3d Technik dann am Ende kann. Selbst für eine Marketingfolie verdammt viele Superlativen.

Schauen wir Mal, ob tsmc nicht mit N5 und N6+ schneller ist. Wobei n5 ja ein EUV Processing sein wird.
 

Mo3Jo3

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Nanoblech?
Laßt mich raten, im Original stand da nano sheet und Ihr habt Euch bei all den möglichen Übersetzungen von sheet ausgerechnet für Blech entschieden.
Nanoblech, Nanoblatt, Nanoschicht wie würdest du es übersetzen? Was wäre an einer anderen Übersetzung denn richtiger?
 

Sockrattes

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NanoBlech klingt gut. Würde ich mir sogar als Markenname schützen lassen.^^ :d
"Heiligs NanoBlechle!"
 

Infi88

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Das klingt spannend, aber Mal schauen was die 3d Technik dann am Ende kann. Selbst für eine Marketingfolie verdammt viele Superlativen.

Schauen wir Mal, ob tsmc nicht mit N5 und N6+ schneller ist. Wobei n5 ja ein EUV Processing sein wird.
Jo man sollte allerdings auch bedenken das die Leute insgesamt von den Transistordichten und Marketingnamen für Nodes keine Ahnung haben, die 3nm von Samsung werden wahrscheinlich auch eher gegen ausgereiftes N5 von TSMC antreten wie dem 7nm Node von Intel bzw. 2023+ dem 5nm. Erstmal abwarten was Samsung bei den Ampere Karten so bringt und später ne 3nm FinFET Alternative parat hat :o .
 
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