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IDF16: 10-nm-Technik im Zeit- und Performanceplan

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idf2016In einer Session zu Intels Produktionstechnik gab Mike Bohr einen Einblick in den Stand der Entwicklungen der 10-nm-Fertigungstechnik. Nachdem man sich im letzten Jahr auf dem IDF mit Ankündigungen im Bereich der Fertigungstechnik zurückgehalten hat, gab man sich jetzt zuversichtlich: Intel sei insbesondere bezüglich der 10-nm-Technik im Plan und können im Vergleich zu anderen Herstellern auch tatsächlich einen Vorteil aus der neuen 10-nm-Fertigungstechnik ziehen. Grund hierfür seinen die Unterschiede in den Strukturangaben: Während bei Intels 14-nm-Technik beispielsweise der Transistor Gate Pitch und die Logic Transistor Area sich in einem ähnlichen Verhältnis wie die Fertigungstechnik verkleinert, ist dies bei anderen Herstellern nicht der Fall. Gerade bei der kommenden 10-nm-Technik sei man hier dann deutlich im Vorteil.

Wie auch schon bei der 14-nm-Technik wird es auch für die 10-nm-Technik unterschiedliche Ausbaustufen geben, die auf unterschiedliche Marktbereiche optimiert sind. Für den Performance-Part wird dabei ein anderer Prozess verwendet, als beispielsweise für Ultra-Low-Voltage-Prozessoren. Auch den bestehenden 14-nm-Prozess wird man nochmals optimieren, für Kaby Lake steht dann der sogenannte "14+"-Fertigungsprozess zur Verfügung, der wahrscheinlich Optimierungen hinsichtlich Yields, Taktfrequenzen und/oder Stromverbrauch enthalten wird. Für den 10-nm-Prozess wird es entsprechend drei Prozesse geben (10, 10+ und 10++), die Intel auch als Auftragsfertiger anbieten wird.

Zuversichtlich ist man auch, den Trend aufrecht erhalten zu können, dass bei kommenden Fertigungstechniken immer die Kosten pro Transistor gesenkt werden können. Dieser Trend ist bei 10 nm weiter vorhanden, auch wenn durch die höheren Aufwände, die für die Produktion gemacht werden müssen, Gründe dagegen stehen, dass der Trend nicht fortgesetzt werden könnte. Intels Transistoren verkleinern sich aber in einem so hohen Faktor, dass trotzdem Einsparungen gemacht werden können.

Einen Ausblick gab Bohr auch auf die kommende 7-nm-Fertigung: Hier war man bislang davon ausgegangen, dass Intel auf die Extreme Ultraviolet Technology zurückgreifen müsse, da man die kleinen Strukturgrößen mit klassischer Lithographie nicht mehr erreichen könne. Bohr sagte aber, dass auch bei der 7-nm-Fertigung zunächst auf die klassische Lithographie gesetzt wird und dies auch kein Problem darstellt. EuV wäre im Vergleich noch zu teuer, aber sobald entsprechende Tools zur Verfügung stehen würden, könne man einen Teil der Waferproduktion auf EuV umstellen. 

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Kommentare (6)

#1
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Registriert seit: 01.01.2015
Europäische Union - Bairischer Sprachraum
Oberleutnant zur See
Beiträge: 1345
Beeindruckend was Intel noch herausholt, das werden wir wohl erst in einigen Jahren mit Ice Lake erleben dürfen.
Wo wäre bei Extreme Ultraviolet Technology eigentlich die Grenze?
#2
Registriert seit: 05.07.2010

Admiral
Beiträge: 11474
Zitat
auch wenn durch die höheren Aufwände, die für die Produktion gemacht werden müssen, Gründe dagegen stehen, dass der Trend nicht fortgesetzt werden könnte.
Kann es sein, dass das nicht dort nicht hin gehört?
#3
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Registriert seit: 07.03.2005

Admiral
Beiträge: 10975
Sobald 10nm CPU,s von denen rauskommen, komme ich mir mit meinen 32nm langsam echt Obselet vor :fresse:

Wird auch jedenfall der Natur gut tun das Intel den Fortschritt weiter Pusht :)
#4
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Registriert seit: 29.01.2010

Fregattenkapitän
Beiträge: 2605
Interessant wie sich dieses xxnm immer noch hält :P Die Gitterkonstante des Siliziums ist 0.54nm. Das bedeutet, ein Siliziumtransistor kann minimal 1.62nm gross werden (besteht dann quasi nur noch aus 3 Atomen).
Ein Intelvertreter selbst sagte vor ca einem Jahr, dass an dem 14nm Prozess nichts 14nm gross ist, sondern die Packungsdichte der Elemente der eines klassischen Transistoren in 14nm entspreche.

Die 14nm Technologie zeigt sich indes ziemlich grob was die tatsächlichen Grössen angeht:
Gate Pitch 70nm, kleinste Strukturabstände 42nm...

Zitat
Da ist wirklich nichts dran, was 14 Nanometer groß ist.
- William Holt, Leiter der Halbleiterfertigung, über Broadwell
#5
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Registriert seit: 31.07.2006

Fregattenkapitän
Beiträge: 2835
Na ja, vom eigenen Zeitplan ist man ja schon Jahre entfernt. Eigentlich sollten 10nm-Prozessoren jetzt verfügbar werden, IceLake wird aber wohl 2019. Dass Cannonlake, der Ende 2017 oder Anfang 2018 kommt, den Prozess nutzt mit seinen <60mm² (und ARM-Chips mit ähnlichen Größen), man aber größere Chips vermeidet ist wohl kaum ein Zeichen dafür, dass der Prozess so super im Plan ist... das ist wieder alles pures Marketing, sonst nix.
TSMC + Apple und Qualcomm + Samsung sind hier mMn weiter und haben Intel überholt. Selbst wenn TSMCs 10nm größer sind als Intels 10nm, das hat in der Vergangenheit auch nie eine Rolle gespielt, als die Intel-Prozesse immer größer waren als die der Konkurrenz (also bis 32nm). Zudem sind die Packdichten der Intel-Chips immer relativ schwach.

Was EUV-Technik angeht, sind wohl GloFo/IBM derzeit am weitesten, was die Technologie angeht. Das heißt aber nix.
#6
Registriert seit: 05.07.2010

Admiral
Beiträge: 11474
Zitat Nimrais;24843353
Ein Intelvertreter selbst sagte vor ca einem Jahr, dass an dem 14nm Prozess nichts 14nm gross ist
Das ist ja bei den anderen auch nicht anderes, deshalb vergleich Intel ja auch die Kenngrößen um dann festzustellen, dass ihre 14nm Strukturen die kleinsten sind :D Ob es stimmt, sei mal dahingestellt, es ist eben bei allen schon länger als nur seit den 14nm Prozessen nur noch Marketing.
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