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TSMC: Kein High-k-Dielektrikum für den 32-nm-Prozess

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Einem Bericht der EE Times zufolge wird TSMCs 32-nm-Prozess kein High-k-Dielektrikum bieten und dies erst bei einer Strukturbreite von 28 nm einführen. Konkurrenzfirmen wie Chartered, IBM und Samsung planen weiterhin 32 nm zusammen mit High-k ab der zweiten Hälfte des Jahres 2009 anzubieten. Laut TSMC ist dies aber nicht weiter schlimm, da das Unternehmen ab der ersten Hälfte des Jahres 2010 eine Fertigung in 28-nm-Strukturbreite und sowohl High-k als auch Siliziumoxynitrid anbieten will, während die Konkurrenz "nur" High-k und 32 nm bietet. Aufgrund der neuen Ausrichtung hat TSMC entschieden, den 32-nm-Prozess nur als kostengünstige Alternative zu seinem 40-nm-Verfahren anzubieten. Des Weiteren soll es für die 32-nm-Strukturbreite nur ein "performance"- und kein "low power"-Fertigungsverfahren geben, welches ab dem vierten Quartal 2009 zur Verfügung stehen soll. Erst bei 28 nm soll es wieder Fertigungsverfahren für beide Anwendungsgebiete geben.Bis heute ist Intel der einzige Halbleiterhersteller der Produkte mit High-k-Dielektrikum auf dem Markt hat. Aufgrund der derzeit schwierigen Finanzlage stellt sich ohnehin die Frage, ob die Nachfrage für High-k überhaupt vorhanden ist. Einige Fabriken sollen bereits innerhalb eines Monats 30 Prozent weniger Wafer-Starts durchgeführt haben. Auch die Auslastung von TSMC soll von 100 Prozent vor 90 Tagen auf unter 75 Prozent im vierten Quartal 2008 fallen.



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