> > > > Qimondas Speicher spart Strom dank 'Buried Wordline'

Qimondas Speicher spart Strom dank 'Buried Wordline'

DruckenE-Mail
Erstellt am: von
Mit einer neuen Technologie möchte Qimonda nicht nur die Datendichte von Speicher erhöhen, sondern gleichzeitig den Verbrauch senken. Zwar nannten die Speicherhersteller keine Zahlen, doch wurde ein Diagramm gezeigt, nach dem die neuen Speicherzellen nur noch die Hälfte der Energie benötigen soll. Bei den derzeitigen Speicherzellen wird ein Graben in das Silizium gezogen. Die Datenleitungen für die Bits und Words verlaufen oberhalb dieses Grabens, was dieser Speicherform auch den Namen "Stacked DRAM" gab. Bei Qimondas neuem Speicher verläuft die Wordline allerdings unterhalb der Speicherzelle, weshalb das Unternehmen dieses Verfahren "Buried Wordline" getauft hat. Entsprechende Speicherzellen mit 1 Gigabit Kapazität will Qimonda noch im zweiten Quartal 2008 ausliefern, zunächst mit 65 nm breiten Strukturen und ab Mitte 2009 mit einer Strukturbreite von 45 nm. Auch bei den zukünftigen Speicherzellen soll das Verfahren eingesetzt werden, beispielsweise bei den für Mitte 2010 erwarteten in 30 nm Strukturen hergestellten Chips. Bis jetzt ist Qimonda der erste Hersteller, der Speicher mit "Buried Wordline" angekündigt hat, obwohl auch andere Hersteller, wie Marktführer Samsung, an entsprechenden Chips arbeiten.









Weiterführende Links:

Social Links

Tags

es liegen noch keine Tags vor.

Zu diesem Artikel gibt es keinen Forumeintrag

Das könnte Sie auch interessieren:

Samsung SSD 750 EVO im Test - die neue Einsteiger-Klasse?

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-750-EVO/TEASER

Samsung gehört zu den Standardempfehlungen, wenn es um SSDs geht, sowohl im Highend-Bereich mit der Samsung SSD 950 PRO als auch im Mainstream-Bereich mit der 850 EVO. Letztere hat vor kurzem ein Upgrade erfahren, dabei wurde der 3D-Speicher durch eine neue Version mit nunmehr 48 statt 32... [mehr]

Samsung SSD 850 EVO mit neuem 48 Layer 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-850EVO-48/TEASER

Bereits vor einiger Zeit hat Samsung den nächsten Schritt in der Fertigung von NAND-Speicher angekündigt, nämlich die Produktion von 3D-NAND mit 48 Layern. Dieser soll jetzt in der Samsung SSD 850 EVO zum Einsatz kommen, wobei sich der Produktname nicht ändert, die Bestände werden also nach... [mehr]

Samsung SSD 950 PRO mit 3D V-NAND und NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-950PRO/TEASER

Die PCI-Express-SSDs Samsung XP941 und zuletzt die Samsung SM951 haben aufgrund ihrer beeindruckenden Performance bereits hohe Wellen geschlagen und großes Interesse, vor allem bei Enthusiasten, geweckt. Mit der 950 PRO geht Samsung nun den nächsten logischen Schritt und bringt endlich eine... [mehr]

Crucial MX300 SSD mit 750 GB und 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/CRUCIAL-MX300-750GB/TEASER

Crucial meldet sich zurück und packt mit der MX300 aktuelle Speichertechnologie in ein 2,5-Zoll-Laufwerk. Den Anfang macht dabei ein einziges Modell mit einer ungewöhnlichen Speicherkapazität von 750 GB, das gegen die Samsung SSD 850 EVO und andere Mainstream-Laufwerke bestehen soll. Die... [mehr]

OCZ Trion 150 SSD mit 240 GB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/OCZ-TRION-150/TEASER

Letztes Jahr hat OCZ mit der Trion 100 eine SSD auf TLC-Basis für preisbewusste Käufer auf den Markt gebracht. Nach etwas über einem halben Jahr erfährt die Trion nun ein Update in Form der OCZ Trion 150, bei der weiterhin TLC-Speicher von Toshiba zum Einsatz kommt, der jetzt allerdings in 15... [mehr]

Toshiba OCZ RD400 SSD mit NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/TOSHIBA-OCZ-RD400/TEASER

Auch Toshiba steigt jetzt mit der OCZ RD400 SSD in die Königsklasse der schnellen Halbleiter-Laufwerke mit NVMe-Interface ein. Mit einem PCI-Express-Interface der dritten Generation und vier Lanes verspricht Toshiba eine Performance von bis zu 2.600 MB/s beim Lesen und 1.600 MB/s beim Schreiben,... [mehr]