> > > > Samsung kündigt eMMC 5.1 mit höherer Schreibrate an

Samsung kündigt eMMC 5.1 mit höherer Schreibrate an

DruckenE-Mail
Erstellt am: von

samsung 2013Die Prozessoren in modernen Smartphones und Tablets werden immer schneller, doch oftmals ist gar nicht die Rechenleistung der eigentlich limitierende Faktor eines solchen mobilen Systems, sondern der Speicher, auch wenn hier in den vergangenen Jahren große Fortschritte gemacht wurden.

Samsung hat nun die Massenproduktion eines neuen eMMC-Speichers angekündigt. eMMC 5.1 wurde erst kürzlich von der Standardisierungsorganisation JEDEC verabschiedet. eMMC steht für Embedded MultiMediaCard, ein eigentlich alter Standard aus PDA-Zeiten, der aber in nahezu allen Smartphones und Tablets angewendet wird. Im Jahr 2013 erreichte eMMC 5.0 bei einer Speicherkapazität von 64 GB sequentielle Leseraten von 250 MB pro Sekunde und Schreibraten von 90 MB pro Sekunde. Bis heute sind dies die maximalen Transferraten, die natürlich weit von dem entfernt sind, was wir von Desktop-Hardware kennen.

eMMC 5.1 soll vor allem die sequentielle Schreibrate erhöhen. Bis zu 125 MB pro Sekunde sollen nun möglich sein, was eine Beschleunigung von etwa 40 Prozent entspricht. Die zufälligen IOPS erhöhen sich von 7.000 auf 11.000, die für zufällige Schreibzugriffe von 7.000 auf 13.000 IOPS. Allerdings will Samsung auch weitere Techniken implementiert haben, die auch zukünftige Performance-Verbesserungen möglich machen sollen. Eine "Command Queue" soll beispielsweise das Abarbeiten von Zugriffen optimieren, allerdings müssen die mobilen Betriebssysteme zunächst noch darauf ausgelegt werden.

eMMC 5.1 soll in Kapazitäten von 16, 32 und 64 GB verfügbar sein. Wann genau er in ersten Geräten zum Einsatz kommen wird, ist derzeit aber noch nicht bekannt.

Social Links

Ihre Bewertung

Ø Bewertungen: 0

Tags

Kommentare (0)

Um Kommentare schreiben zu können, musst Du eingeloggt sein!

Das könnte Sie auch interessieren:

Samsung SSD 750 EVO im Test - die neue Einsteiger-Klasse?

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-750-EVO/TEASER

Samsung gehört zu den Standardempfehlungen, wenn es um SSDs geht, sowohl im Highend-Bereich mit der Samsung SSD 950 PRO als auch im Mainstream-Bereich mit der 850 EVO. Letztere hat vor kurzem ein Upgrade erfahren, dabei wurde der 3D-Speicher durch eine neue Version mit nunmehr 48 statt 32... [mehr]

Crucial MX300 SSD mit 750 GB und 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/CRUCIAL-MX300-750GB/TEASER

Crucial meldet sich zurück und packt mit der MX300 aktuelle Speichertechnologie in ein 2,5-Zoll-Laufwerk. Den Anfang macht dabei ein einziges Modell mit einer ungewöhnlichen Speicherkapazität von 750 GB, das gegen die Samsung SSD 850 EVO und andere Mainstream-Laufwerke bestehen soll. Die... [mehr]

Samsung SSD 850 EVO mit neuem 48 Layer 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-850EVO-48/TEASER

Bereits vor einiger Zeit hat Samsung den nächsten Schritt in der Fertigung von NAND-Speicher angekündigt, nämlich die Produktion von 3D-NAND mit 48 Layern. Dieser soll jetzt in der Samsung SSD 850 EVO zum Einsatz kommen, wobei sich der Produktname nicht ändert, die Bestände werden also nach... [mehr]

OCZ Trion 150 SSD mit 240 GB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/OCZ-TRION-150/TEASER

Letztes Jahr hat OCZ mit der Trion 100 eine SSD auf TLC-Basis für preisbewusste Käufer auf den Markt gebracht. Nach etwas über einem halben Jahr erfährt die Trion nun ein Update in Form der OCZ Trion 150, bei der weiterhin TLC-Speicher von Toshiba zum Einsatz kommt, der jetzt allerdings in 15... [mehr]

NVMe-SSD Samsung 960 PRO mit 512 GB und 2 TB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-960-PRO/TEASER

Die Samsung SSD 950 PRO hat bis heute unsere Benchmark-Tabelle als schnellste SSD angeführt. Konkurrenz bekommt sie jetzt aus eigenem Haus in Form des Nachfolgers 960 PRO. Dabei handelt es sich um mehr als ein kosmetisches Update, denn Samsungs neuste M.2-SSD mit NVMe-Interface ist insbesondere... [mehr]

Toshiba OCZ RD400 SSD mit NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/TOSHIBA-OCZ-RD400/TEASER

Auch Toshiba steigt jetzt mit der OCZ RD400 SSD in die Königsklasse der schnellen Halbleiter-Laufwerke mit NVMe-Interface ein. Mit einem PCI-Express-Interface der dritten Generation und vier Lanes verspricht Toshiba eine Performance von bis zu 2.600 MB/s beim Lesen und 1.600 MB/s beim Schreiben,... [mehr]