> > > > MWC 2014: SanDisk iNAND beschleunigt Smartphones und Tablets

MWC 2014: SanDisk iNAND beschleunigt Smartphones und Tablets

DruckenE-Mail
Erstellt am: von

SanDisk-LogoAlle Welt spricht bei den aktuellen Smartphones und Tablets über vier bis acht Kerne, über 3 GB Arbeitsspeicher oder sonstige Performance-Zahlen. Was aber nicht nur die Hersteller gerne vergessen, sondern auch für den Endkunden interessant sein könnte, ist die Frage nach der Anbindung des Flash-Speichers, der in diesen Geräten verbaut ist. Abgesehen von der Kapazität sind von den meisten Herstellern dazu nur wenige Informationen überhaupt zu bekommen, dabei hat der Desktop- und Notebook-Markt gezeigt, dass der Wechsel auf schnelle SSDs einen maßgeblichen Einfluss auf die Performance eines Systems haben kann.

SanDisk nutzt den Mobile World Congress, um seinen neuen iNAND-Speicher vorzustellen. Der Fokus liegt hier weniger auf der Größe als vielmehr auf der Performance dieses neuen Speichers mit integriertem Controller. Die Anforderungen an Speicher in diesen mobilen Geräten ist natürlich nicht derart hoch, wie am heimischen PC oder Notebook. Allerdings haben sequentielle Lese- und Schreibraten ebenso Einfluss auf das Gesamtsystem wie die generelle I/O-Performance. Gerade das Schreiben von Daten wenn der interne Speicher fast aufgebraucht ist, sorgt bei den Nutzern für teilweise lange Wartezeiten oder zumindest verwunderlich verzögerte Prozesse im alltäglichen Umgang. Die Anforderungen an einen solchen Speicher sind aber auch in technischer Hinsicht höchst unterschiedlich. So mancher SoC verwendet seinen eigenen Speichercontroller und bindet nur einfachen NAND-Speicher daran an. Andere Hersteller wiederum greifen auf eMMC zurück, der neben dem NAND-Speicher auf dem gleichen Chip auch noch den Controller verbaut. Eben dies ist auch der Ansatz für den neuen iNAND von SanDisk.

SanDisk iNAND Extreme
SanDisk iNAND Extreme

SanDisk verwendet für diesen Speicher den eigenen 2-Bit-MLC-NAND, der in 1Y nm gefertigt wird. Eine Dual-Core-CPU dient als Controller, wobei ein Kern sich auf die Host-Operations konzentriert und der zweite auf das NAND-Management. Dual-Core-Controller werden in modernen Desktop-SSDs bereits seit einiger Zeit eingesetzt, im mobilen Bereich für Smartphones und Tablets sind sie allerdings neu. Der neue iNAND Extreme von SanDisk verwendet eMMC 5.0 mit Geschwindigkeiten von bis zu 400 MBit pro Sekunde. Intern sind Controller und NAND über zwei Channel mit jeweils 300 MBit pro Sekunde angebunden. Den intern produzierten Überschuss verwendet der Controller, um einen Overhead, beispielweise durch eine Gargabe Collection, auszugleichen. Um die Geschwindigkeit des NAND überhaupt in diese Dimensionen bringen zu können, arbeitet der Controller nicht mehr im Block-basierten Abarbeiten der Schreib- und Lesevorgänge, sondern verwendet nun sogenannte "Pages".

Der iNAND Extreme von SanDisk soll auf Datenübertragungsraten von 300 MB pro Sekunde für das sequentielle Lesen und 80 MB pro Sekunde für das sequentielle Schreiben kommen. Für das zufällige Lesen gibt SanDisk 6.000 IOPS an, beim Schreiben sollen es 3.000 IOPS sein. Zunächst wird SanDisk den iNAND Extreme in Größen von 16, 32 und 64 GB anbieten. Wann und in welchen Geräten der iNAND Extreme zunächst eingesetzt werden wird, wollte SanDisk nicht verraten. Im zweiten Quartal soll es aber soweit sein - nur um einen groben Zeitrahmen zu kennen.

Social Links

Ihre Bewertung

Ø Bewertungen: 0

Tags

Kommentare (3)

#1
Registriert seit: 05.07.2010

Admiral
Beiträge: 12072
Zitat
Um die Geschwindigkeit des NAND überhaupt in diese Dimensionen bringen zu können, arbeitet der Controller nicht mehr im Block-basierten Abarbeiten der Schreib- und Lesevorgänge, sondern verwendet nun sogenannte "Pages".
Was dann wohl aussagen soll, dass sie eine Indirection Table wie bei modernen SSD Controllern eingeführt haben.

Zitat
Der neue iNAND Extreme von SanDisk verwendet eMMC 5.0 mit Geschwindigkeiten von bis zu 400 MBit pro Sekunde.
Das soll wohl MB also Megabyte heißen: Ganz falsch sind die 400MBit zwar auch nicht, da eMMC 5.0 200 MHz (DDR) x8 überträgt, also pro Lane dann schon 400Mb/s, aber eben x8. Anders wären auch diese Daten bei einem Interface mit nur 400Mb/s nicht realisierbar:
Zitat
soll auf Datenübertragungsraten von 300 MB pro Sekunde für das sequentielle Lesen und 80 MB pro Sekunde für das sequentielle Schreiben kommen.
#2
Registriert seit: 04.09.2012

Bootsmann
Beiträge: 539
Zitat
[COLOR=#000000][FONT=verdana]iNAND[/FONT][/COLOR]


Gibt es da keine Klage von Apple? :fresse:
#3
Registriert seit: 05.07.2010

Admiral
Beiträge: 12072
Das iNAND ist doch nicht neu, das bietet SanDisk schon länger an. Neu sind die Leistungsdaten, denn Mitte 2012 war noch von "The 128GB version is capable of up to 45 MB/sec write and 100 MB/sec read speeds" die Rede, 2010 gar nur von Sustained Read 15 MB/s, Sustained Write 9 MB/s .
Um Kommentare schreiben zu können, musst Du eingeloggt sein!

Das könnte Sie auch interessieren:

Samsung SSD 750 EVO im Test - die neue Einsteiger-Klasse?

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-750-EVO/TEASER

Samsung gehört zu den Standardempfehlungen, wenn es um SSDs geht, sowohl im Highend-Bereich mit der Samsung SSD 950 PRO als auch im Mainstream-Bereich mit der 850 EVO. Letztere hat vor kurzem ein Upgrade erfahren, dabei wurde der 3D-Speicher durch eine neue Version mit nunmehr 48 statt 32... [mehr]

Crucial MX300 SSD mit 750 GB und 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/CRUCIAL-MX300-750GB/TEASER

Crucial meldet sich zurück und packt mit der MX300 aktuelle Speichertechnologie in ein 2,5-Zoll-Laufwerk. Den Anfang macht dabei ein einziges Modell mit einer ungewöhnlichen Speicherkapazität von 750 GB, das gegen die Samsung SSD 850 EVO und andere Mainstream-Laufwerke bestehen soll. Die... [mehr]

Samsung SSD 850 EVO mit neuem 48 Layer 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-850EVO-48/TEASER

Bereits vor einiger Zeit hat Samsung den nächsten Schritt in der Fertigung von NAND-Speicher angekündigt, nämlich die Produktion von 3D-NAND mit 48 Layern. Dieser soll jetzt in der Samsung SSD 850 EVO zum Einsatz kommen, wobei sich der Produktname nicht ändert, die Bestände werden also nach... [mehr]

OCZ Trion 150 SSD mit 240 GB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/OCZ-TRION-150/TEASER

Letztes Jahr hat OCZ mit der Trion 100 eine SSD auf TLC-Basis für preisbewusste Käufer auf den Markt gebracht. Nach etwas über einem halben Jahr erfährt die Trion nun ein Update in Form der OCZ Trion 150, bei der weiterhin TLC-Speicher von Toshiba zum Einsatz kommt, der jetzt allerdings in 15... [mehr]

NVMe-SSD Samsung 960 PRO mit 512 GB und 2 TB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-960-PRO/TEASER

Die Samsung SSD 950 PRO hat bis heute unsere Benchmark-Tabelle als schnellste SSD angeführt. Konkurrenz bekommt sie jetzt aus eigenem Haus in Form des Nachfolgers 960 PRO. Dabei handelt es sich um mehr als ein kosmetisches Update, denn Samsungs neuste M.2-SSD mit NVMe-Interface ist insbesondere... [mehr]

Toshiba OCZ RD400 SSD mit NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/TOSHIBA-OCZ-RD400/TEASER

Auch Toshiba steigt jetzt mit der OCZ RD400 SSD in die Königsklasse der schnellen Halbleiter-Laufwerke mit NVMe-Interface ein. Mit einem PCI-Express-Interface der dritten Generation und vier Lanes verspricht Toshiba eine Performance von bis zu 2.600 MB/s beim Lesen und 1.600 MB/s beim Schreiben,... [mehr]