> > > > Zwei neue S-ATA Spezifikationen

Zwei neue S-ATA Spezifikationen

DruckenE-Mail
Erstellt am: von
Serial ATA geht in die 2. Runde: Auf dem europäischen IDF präsentierte die Serial ATA Working Group die neuen Spezifikationen für die nächste Generation der S-ATA Endgeräte. Mit dabei ist eine Verdopplung der Übertragungsrate der momentanen 150MB/s auf satte 300MB/s sowie ein neues Kabel- und Stecker Design. In wie weit sich diese Leistungssteigerung auf die tatsächliche Performance der angeschlossenen Geräte auswirkt, wird sich erst mit der Verfügbarkeit entsprechender Festplatten messen lassen. Die aktuellen 150MB/s werden noch von keiner Platte ausgereizt, sodass die effektive Mehr-Performance der neuen Generation kaum eine nennenswerte Steigerung mit sich bringen dürfte. [quote]Die Serial ATA Working Group hat auf dem europäischen Intel Developer Forum zwei neue Spezifikationen vorgestellt. Die eine Spezifikation verdoppelt den Signalfluss von Serial ATA, die andere definiert neue Kabel und Stecker zur Unterstützung weiterer Applikationen und Einsatzbereiche.

Die Spezifikation für Serial ATA der zweiten Generation ist abgeschlossen und bietet eine Signalgeschwindigkeit von 3Gbps. Der Release Candidate dieser Spezifikation durchläuft derzeit den Ratifizierungsprozess. Die Geschwindigkeit von 3Gbps (300MB/s) der zweiten Generation stellt eine Verdoppelung gegenüber Serial ATA der ersten Generation mit einer Geschwindigkeit von 1.5Gbps (150MB/s) dar.
Eine Reihe von Serial ATA Produkten mit Unterstützung für eine Signalgeschwindigkeit von 3Gbps wurde bereits angekündigt. Der Ratifizierungsprozess wird in rund 30 Tagen abgeschlossen sein. Danach dürfen der Spezifikation entsprechende Produkte als 3Gbps Serial ATA Produkte vermarktet werden.
Zu den Produktmerkmalen der verbesserten Technologie zählt auch der Vorteil, dass die höhere Signalgeschwindigkeit ohne neue Kabel und Stecker erreicht wird.
Die Verdoppelung der Geschwindigkeit wird mit der internen PHY erreicht, die ursprünglich in der SATA 1.0 Spezifikation definiert wurde. Zusätzlich sieht die neue PHY Spezifikation eine leistungsstärkere Version für den externen Einsatz in Datacentern vor. Die in der Spezifikation definierte externe PHY Version betrifft lediglich Box-to-Box Applikationen (also nicht die direkte Anbindung von Laufwerken). Ihre Definition ist auf die elektrischen Parameter der SAS PHY abgestimmt.

Ebenfalls auf dem IDF wurde die Fertigstellung der Spezifikation für Kabel und Stecker Volume 2 bekannt gegeben. Der Release Candidate dieser Spezifikation befindet sich derzeit im Ratifizierungsprozess. Zahlreiche neue Verkabelungsoptionen werden mit Volume 2 der Kabel- und Steckerspezifikationen eingeführt:
- Eine interne Multi-Lane Kabel- und Steckerbaugruppe für die Optimierung der Verbindungen zwischen mehreren internen Host Ports sowie internen Geräten oder rückseitigen Platinen.
- Eine externe Kabel- und Steckerlösung für Verbraucher, mit deren Hilfe Serial ATA auch mit externen Speichergeräten verwendbar ist.
- Eine externe Multi-Lane Kabel- und Steckerlösung für Datacenter, die mehrere Serial ATA Kanäle zwischen Computergruppen in einem Datacenter verbindet.
Produkte mit den neuen Kabeln und Steckern werden für das Ende des Jahres erwartet.[/quote]

Social Links

Tags

es liegen noch keine Tags vor.

Zu diesem Artikel gibt es keinen Forumeintrag

Das könnte Sie auch interessieren:

Samsung SSD 750 EVO im Test - die neue Einsteiger-Klasse?

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-750-EVO/TEASER

Samsung gehört zu den Standardempfehlungen, wenn es um SSDs geht, sowohl im Highend-Bereich mit der Samsung SSD 950 PRO als auch im Mainstream-Bereich mit der 850 EVO. Letztere hat vor kurzem ein Upgrade erfahren, dabei wurde der 3D-Speicher durch eine neue Version mit nunmehr 48 statt 32... [mehr]

Samsung SSD 850 EVO mit neuem 48 Layer 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-850EVO-48/TEASER

Bereits vor einiger Zeit hat Samsung den nächsten Schritt in der Fertigung von NAND-Speicher angekündigt, nämlich die Produktion von 3D-NAND mit 48 Layern. Dieser soll jetzt in der Samsung SSD 850 EVO zum Einsatz kommen, wobei sich der Produktname nicht ändert, die Bestände werden also nach... [mehr]

Samsung SSD 950 PRO mit 3D V-NAND und NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-950PRO/TEASER

Die PCI-Express-SSDs Samsung XP941 und zuletzt die Samsung SM951 haben aufgrund ihrer beeindruckenden Performance bereits hohe Wellen geschlagen und großes Interesse, vor allem bei Enthusiasten, geweckt. Mit der 950 PRO geht Samsung nun den nächsten logischen Schritt und bringt endlich eine... [mehr]

Crucial MX300 SSD mit 750 GB und 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/CRUCIAL-MX300-750GB/TEASER

Crucial meldet sich zurück und packt mit der MX300 aktuelle Speichertechnologie in ein 2,5-Zoll-Laufwerk. Den Anfang macht dabei ein einziges Modell mit einer ungewöhnlichen Speicherkapazität von 750 GB, das gegen die Samsung SSD 850 EVO und andere Mainstream-Laufwerke bestehen soll. Die... [mehr]

OCZ Trion 150 SSD mit 240 GB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/OCZ-TRION-150/TEASER

Letztes Jahr hat OCZ mit der Trion 100 eine SSD auf TLC-Basis für preisbewusste Käufer auf den Markt gebracht. Nach etwas über einem halben Jahr erfährt die Trion nun ein Update in Form der OCZ Trion 150, bei der weiterhin TLC-Speicher von Toshiba zum Einsatz kommt, der jetzt allerdings in 15... [mehr]

Toshiba OCZ RD400 SSD mit NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/TOSHIBA-OCZ-RD400/TEASER

Auch Toshiba steigt jetzt mit der OCZ RD400 SSD in die Königsklasse der schnellen Halbleiter-Laufwerke mit NVMe-Interface ein. Mit einem PCI-Express-Interface der dritten Generation und vier Lanes verspricht Toshiba eine Performance von bis zu 2.600 MB/s beim Lesen und 1.600 MB/s beim Schreiben,... [mehr]