> > > > G.Skill bringt neue SSD-Speicher auf den Markt

G.Skill bringt neue SSD-Speicher auf den Markt

DruckenE-Mail
Erstellt am: von
Bei kaum einer Computerkomponente ist der technologische Fortschritt derzeit schneller als bei den sogenannten Solid-State-Discs. Bei diesen werden die Daten nicht mehr auf rotierenden magnetisierten Scheiben gespeichert, sondern mit Hilfe von Flash-Speicherzellen aus Halbleitern. Der insbesondere für seine RAM-Riegel bekannte taiwanische Hersteller G.Skill hat nun zwei neue SSD-Speicher in sein Angebot aufgenommen. Die FM-25S2S-64GB und FM-25S2S-128GB mit 64 und 128 GB Kapazität und Metallgehäusen setzen dabei auf günstigere MLC-Zellen. Diese Zellen speichern mehrere Bits in einer Zelle, weshalb SSD-Speicher mit diesen Zellen günstiger sind. Nachteilig ist bei diesen Zellen allerdings, da sie langsamer als SLC-Zellen zu Werke gehen und schneller zerstört werden. Dank entsprechender Algorithmen sind die Daten zwar sichergestellt, doch nimmt die Kapazität auf Dauer langsam ab.Die Schreib- und Leseraten gibt der Hersteller mit 90 beziehungsweise 155 MB/s an. Als Interface verwenden die Speicher im 2,5-Zoll-Format den SATA2-Anschluss. Wie gewöhnlich gewährt G.Skill auch auf diesen Produkte lebenslange Garantie. Wann die neuen Speicher auch in Deutschland angeboten werden ist unbekannt, in unserem Preisvergleich finden sich derzeit nur die beiden SSDs mit SLC-Zellen und 32 GB beziehungsweise 64 GB Kapazität.






Weiterführende Links:

Social Links

Tags

es liegen noch keine Tags vor.

Zu diesem Artikel gibt es keinen Forumeintrag

Das könnte Sie auch interessieren:

Samsung SSD 750 EVO im Test - die neue Einsteiger-Klasse?

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-750-EVO/TEASER

Samsung gehört zu den Standardempfehlungen, wenn es um SSDs geht, sowohl im Highend-Bereich mit der Samsung SSD 950 PRO als auch im Mainstream-Bereich mit der 850 EVO. Letztere hat vor kurzem ein Upgrade erfahren, dabei wurde der 3D-Speicher durch eine neue Version mit nunmehr 48 statt 32... [mehr]

Samsung SSD 850 EVO mit neuem 48 Layer 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-850EVO-48/TEASER

Bereits vor einiger Zeit hat Samsung den nächsten Schritt in der Fertigung von NAND-Speicher angekündigt, nämlich die Produktion von 3D-NAND mit 48 Layern. Dieser soll jetzt in der Samsung SSD 850 EVO zum Einsatz kommen, wobei sich der Produktname nicht ändert, die Bestände werden also nach... [mehr]

Samsung SSD 950 PRO mit 3D V-NAND und NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/SAMSUNG-950PRO/TEASER

Die PCI-Express-SSDs Samsung XP941 und zuletzt die Samsung SM951 haben aufgrund ihrer beeindruckenden Performance bereits hohe Wellen geschlagen und großes Interesse, vor allem bei Enthusiasten, geweckt. Mit der 950 PRO geht Samsung nun den nächsten logischen Schritt und bringt endlich eine... [mehr]

Crucial MX300 SSD mit 750 GB und 3D-NAND im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/CRUCIAL-MX300-750GB/TEASER

Crucial meldet sich zurück und packt mit der MX300 aktuelle Speichertechnologie in ein 2,5-Zoll-Laufwerk. Den Anfang macht dabei ein einziges Modell mit einer ungewöhnlichen Speicherkapazität von 750 GB, das gegen die Samsung SSD 850 EVO und andere Mainstream-Laufwerke bestehen soll. Die... [mehr]

OCZ Trion 150 SSD mit 240 GB im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/OCZ-TRION-150/TEASER

Letztes Jahr hat OCZ mit der Trion 100 eine SSD auf TLC-Basis für preisbewusste Käufer auf den Markt gebracht. Nach etwas über einem halben Jahr erfährt die Trion nun ein Update in Form der OCZ Trion 150, bei der weiterhin TLC-Speicher von Toshiba zum Einsatz kommt, der jetzt allerdings in 15... [mehr]

Toshiba OCZ RD400 SSD mit NVMe im Test

Logo von IMAGES/STORIES/GALLERIES/REVIEWS/TOSHIBA-OCZ-RD400/TEASER

Auch Toshiba steigt jetzt mit der OCZ RD400 SSD in die Königsklasse der schnellen Halbleiter-Laufwerke mit NVMe-Interface ein. Mit einem PCI-Express-Interface der dritten Generation und vier Lanes verspricht Toshiba eine Performance von bis zu 2.600 MB/s beim Lesen und 1.600 MB/s beim Schreiben,... [mehr]