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Speicher mit integrierter Selbstzerstörung

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Die Koninklijke Philips Electronics N.V. ([url=http://www.philips.com]Philips[/url]) möchte die [url=http://www.elektronik-kompendium.de/sites/com/0807111.htm]MRAM[/url] zu einem „äußerst“ sicheren Medium weiterentwickeln. Magneto-resistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nicht-flüchtige Speichertechnik. Im Gegensatz zu DRAM und SDRAM werden Informationen dabei nicht elektrisch, sondern über magnetische Ladungselemente gespeichert. Die Kernidee der Technologie besteht darin, dass sich der elektrische Widerstand bestimmter Materialien unter dem Einfluss magnetischer Felder ändert. Lese- und Schreibzugriffe finden als magnetische Impulse auf mehreren Lagen dünner Filmschichten statt. Bisher konnte ein Hacker die Chips durch einfaches Öffnen auslesen, da auf diese Weise ein direkter Zugriff auf die Filmschichten möglich wird. Insbesondere für das Speichern von Passwörtern oder kryptographischen Schlüsseln stellte dies in der Vergangenheit ein Sicherheitproblem dar. Die Speicherchips wurden nun von Phillips mit einer Schutzhülle um die Filmschichten sowie einem permanenten Magneten versehen. Ist diese Schutzhülle intakt, hält sie das Magnetfeld in einem geschlossenen Kreislauf. Wird diese jedoch durch das Öffnen des Chips beschädigt, gehen alle gespeicherten Daten verloren. Ein solcher passiver Sicherheitsmechanismus ist ein Novum für das Marktsegment. Die Technik soll in Zukunft die Flash-Card zum Speichern von elektronischen Schlüsseln ersetzen.

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