IBM und Micron produzieren gemeinsam neue Speicherchips
Der Computerspezialist IBM und der Chiphersteller Micron haben bekannt gegeben, dass die Produktion von neuen Speicherchips gestartet ist. Das Besondere an diesen Chips ist die hohe Transfergeschwindigkeit gegenüber den bisher erhältlichen Bauteilen. So soll dank einer neuen Architektur die Geschwindigkeit bis zu 15 Mal höher ausfallen. Um dies zu erreichen, wurde der DRAM von Micron mit einer Steuerelektronik von IBM kombiniert und im 32-Nanometer-Prozess gefertigt. Durch diese Technik soll die "Memory Wall" der Vergangenheit angehören und somit die Ausbremsung des Prozessors durch die Verwendung von langsamen Arbeitsspeicher nicht mehr vorkommen.
Im Detail verwenden die beiden Unternehmen eine 3D-Transistortechnik. Diese erlaubt das Aufeinandersetzen von Chips und dadurch können vertikale Schaltkreise realisiert werden. Der Vorteil dieser Methode liegt darin, dass sowohl der Stromverbrauch geringer ausfallen soll, wie auch die benötigte Größe der Chips. So soll der Speicher etwa 70 Prozent weniger Energie benötigen und gleichzeitig nur ein Zehntel der Größe konventionellen Speichers für sich beanspruchen. Die aktuellen Speicherbausteine erreichen zudem nur eine Übertragungsrate von maximal 12,8 GB/s und bei den neuen DRAM-Chips soll zunächst eine Geschwindigkeit von bis zu 128 GB/s möglich sein.
Die ersten Speicherbausteine sollen in der zweiten Jahreshälfte 2012 ausgeliefert werden. Dementsprechend sollten auch vor diesem Zeitraum noch keine entsprechenden Produkte auf den Markt erhältlich sein.
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