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IDF: Marc Bohr zur Entwicklung der Fertigungstechnik

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idf2009In einem Roundtable mit wenigen Journalisten gab Marc Bohr (Intel Senior Fellow, Technology and Manufacturing Group) weitere Einblicke zu Intels Plänen bei der Fertigungstechnik. So wird für die kritischen Layer des 22-nm-Prozesses weiterhin wie bei der 32-nm-Technik die Immersion Litographie eingesetzt. Für non-critical Layers verwendet Intel wieder um die trockene Litographie. Weitere Kennzahlen zur 22-nm-Technik wollte Bohr nicht nennen - Details, ob bereits Tri-Gate-Transistoren verwendet werden, wie Drive Current oder die Gate-Länge aussehen, wird man erst zu einem späteren Zeitpunkt mitteilen.

Für die anschließende 15-nm-Technik wird Intel weiterhin Strained Silicon und Metal Gate als Technik einsetzen, allerdings in einer fortentwickelten vierten Generation. Auch forscht Intel an weiteren Materialien aus der III-V-Gruppe (Periodensystem, 3. und 5. Gruppe) - Tests, ob diese Materialien in der Produktion eingesetzt werden können, werden schon durchgeführt, allerdings führt der Einsatz zu großen fertigungstechnischen Herausforderungen, ähnlich wie bislang das Hafnium-basierende Metal-Gate oder Strained Silicon. Auch forscht man weiter am Einsatz anderer Gate-Materialien statt Hafnium.

Auf die Frage, ob Intels 32-nm-Technik besser sei, als die 28-nm-Technik der Konkurrenz, entgegnete Bohr, dass Intels 32-nm-Technik einige Vorteile hätte. So wäre die Dichte der Transistoren bei Intels 32-nm-Technik mit 112,5 nm höher als die der Konkurrenz (126 bzw. 130 nm bei der 28-nm-Technik), weiterhin erreichen Intels Prozessoren eine höhere Performance (Drive Current ist bei Intels 32-nm-Technik höher als bei der 28-nm-Technik der Konkurrenz).

Auf die kommenden 450-mm-Wafer (aktuell werden industrieweit 300-mm-Wafer eingesetzt) wird man noch etwas warten müssen. Da Intel hier zusammen mit den anderen Branchenriesen Samsung, TSMC und IBM aufgrund der Tool-Hersteller zusammenarbeiten muss, muss man mit diesen Firmen einen Konsens finden, wann der richtige Zeitpunkt kommt, um die vergleichsweise hohen Kosten für die Umrüstung zu wagen - um anschließend durch die besseren Produktionskosten diese Investitionen wieder einfahren zu können.

 

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Kommentare (3)

#1
Registriert seit: 10.03.2009
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Matrose
Beiträge: 27
Normallerweise mache ich mich nicht über kleine Tippfehler lustig, aber das: [...] 300-nm-Wafer [...] brachte mich dann doch zum Lachen.

Oh man zuviele Gummibärchen gegessen.

Sonst, heftig was man bei Intel alles besser machen kann.
Dass die Umstellung auf 450 mm Wafer nicht unabhängig bewältigt werden kann, finde ich allerdings etwas enttäuschend.
#2
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Registriert seit: 04.05.2001
Hannover
Chefredakteur
Beiträge: 30930
Sorry, das ist im Eifer des IDF-Gefechts durchgerutscht und schon korrigiert.
#3
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Registriert seit: 08.07.2006
Regensburg
Oberstabsgefreiter
Beiträge: 458
Ich denke dass es daran liegt, das Intel die Kosten für die Umstellung nicht alleine tragen will...

Zumal doch die anderen Unternehmen durch die geringeren Produktionskosten ebenfalls Profitieren würden.

Was ich aber nicht verstehen kann, wieso Intel sich nicht eine eigene Produktionswerkstatt schafft?

80% des Chipmarktes sprechen doch für sich...

Ob da das Kartellamt dahinter steckt oder der Staat einfach das Unternehmen TSMC nicht gefährdet sehen will?!?
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