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Test: AMD 890FX und 880G

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Seite 9: BIOS-Einstellungen ASUS Crosshair IV Formula

Auch beim ASUS Crosshair IV Formula wollen wir einen Blick auf die BIOS-Einstellungen werfen.

CPU/HT-Referenztakt 100 - 600 MHz
Speichertakt 800/1067/1333/1600 MHz
CPU/Northbridge-Frequenz 1400 - 6000 MHz in 200-MHz-Schritten
HT-Link-Frequenz 200 - 2600 MHz in 200-MHz-Schritten
CPU-Spannung Standard +0,7 Volt (Min: 62,5 mV) in 3,125-mV-Schritten
CPU/Northbridge-Spannung Standard +0,7 Volt (Min: 3,125 mV) in 3,125-mV-Schritten
CPU-VDDA-Spannung 2,5000 - 3,1875 Volt in 12,5-mV-Schritten
Speicher-Spannung 1,2 - 2,9 Volt in 12,5-mV-Schritten
HT-Spanung 0,8 - 2,0 Volt in 12,5-mV-Schritten
Northbridge-Spannung 0,8 - 2,0 Volt in 12,5-mV-Schritten
Northbridge-1,8V-Spannung 1,80200 - 3,00775 Volt in 13,25-mV-Schritten
Southbridge-Spannung 1,113 - 1,802 Volt in 13,25-mV-Schritten
VDDR-Spannung 1,20575 - 1,80200 Volt in 13,25-mV-Schritten
VDDPCIE-Spannung 1,11300 - 2,00075 Volt in 13,25-mV-Schritten

Auf den ersten Blick wirken die Einstellungen sehr ähnlich gegenüber dem Mainstream-Modell. Wenn man aber genauer hinschaut, wird deutlich, dass die minimalen und maximalen Werte deutlich weiter sind und die Intervalle feinmaschiger.

Für den Speicher stehen folgende Einstellungen bereit:

DRAM CAS# Latency 4 - 12
DRAM RAS# to CAS# Delay 5 - 12
DRAM RAS# PRE Time 5 - 12
DRAM RAS# ACT Time 15 - 30
DRAM READ to PRE Time 4 - 7
DRAM Row Cycle Time 11 - 41
DRAM WRITE Recovery Time 5 - 12
DRAM RAS# to RAS# Delay 4 - 7
DRAM READ to WRITE Delay 3 - 17
DRAM WRITE to READ Delay (DD) 2 - 10
DRAM WRITE to READ Delay (SD) 4 - 7
DRAM WRITE to WRITE Timing 3 - 10
DRAM READ to READ Timing 3 - 10
DRAM REF Cycle Time 90/110/160/300/350 ns
DRAM Refresh Rate 3,9/7,8 ms
DRAM Command Rate 1T/2T

Beim Speicher sind die Einstellmöglichkeiten mit denen des M4A88TD-V EVO/USB3 identisch.